Luận án Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể lõi / vỏ loại II CdS / ZnSe

bằng các phƣơng pháp làm sạch thông thƣờng và chắc chắn chúng sẽ ảnh hƣởng đến tính chất quang của các NC, đặc biệt là khi thay đổi 104 nhiệt độ đo. Do nhiệt độ hóa lỏng của OA và TOP tƣơng ứng là 286 và 215K, nên nếu khả năng chuyển pha rắn, lỏng của các ligand hữu cơ gây ra sự phục hồi quang nhƣ cách giải thích của Wuister [84] thì hiện tƣợng LTAQ phải xảy ra với các mẫu T1, T2 và T3 ở trong cùng một khoảng nhiệt độ. Trong khi đó, hiện tƣợng LTAQ quan sát đƣợc với các mẫu T1, T2 và T3 tƣơng ứng với các nhiệt độ 210-255K, 161-210K và lớn hơn 275K. Vì vậy nguyên nhân gây ra hiện tƣợng LTAQ đối với các mẫu T1, T2 và T3 của chúng tôi không giống với nguyên nhân đã đƣợc sử dụng để giải thích hiện tƣợng trên của Wuister. Hình 4.21. Phổ EDS của mẫu T2. Quan sát trên Hình 4.20 nhận thấy đúng trong khoảng nhiệt độ xảy ra hiện tƣợng LTAQ với các mẫu T1, T2 và T3 thì sự phụ thuộc năng lƣợng phát xạ theo nhiệt độ cũng xảy ra hiện tƣợng bất thƣờng. Vì vậy, hiện tƣợng LTAQ và sự tăng năng lƣợng vùng cấm khi nhiệt độ tăng với các mẫu T1, T2 và T3 có thể liên quan đến sự thay đổi ứng suất giữa lõi/vỏ khi nhiệt độ thay đổi. Bằng chứng về ứng suất lõi/vỏ thay đổi theo nhiệt độ là nguyên nhân của hiện tƣợng LTAQ và sự tăng năng lƣợng vùng cấm khi nhiệt độ tăng với các mẫu T1, T2 và T3 sẽ đƣợc nghiên cứu tiếp sau đây. 4.2.2.2. Nguyên nhân của sự thay đổi năng lượng bất thường theo nhiệt độ. Sự thay đổi của ứng suất lõi/vỏ theo nhiệt độ Theo lý thuyết thì độ rộng vùng cấm của các NC bán dẫn thay đổi theo nhiệt độ 105 cũng diễn ra giống nhƣ đối với bán dẫn khối. Sự thay đổi độ rộng vùng cấm theo nhiệt độ của bán dẫn khối thƣờng đƣợc giải thích liên quan đến sự dãn nở nhiệt của mạng tinh thể và tƣơng tác exciton-phonon. Tuy nhiên, mức độ đóng góp của hai nguyên nhân này là khác nhau trong các khoảng nhiệt độ cụ thể, phụ thuộc vào chất lƣợng và các đặc trƣng khác nhau của mẫu. Hình 4.20(b) trình bày sự thay đổi của năng lƣợng phát xạ theo nhiệt độ. Khi nhiệt độ tăng, độ rộng vùng cấm của lõi CdS giảm theo quy luật thông thƣờng trong khi với các mẫu T1, T2 và T3 thì sự thay đổi độ rộng vùng cấm không đơn điệu nhƣ vậy. Hình 4.22. Sự thay đổi năng lượng phát xạ theo nhiệt độ của lõi CdS. Đường liền nét trong hình (a) là đường làm khớp với biểu thức Varshni, trong hình (b) là đường làm khớp với biểu thức O’ Donnell. Hiện tƣợng năng lƣợng vùng cấm tăng khi nhiệt độ tăng với các mẫu T1, T2 và T3 tƣơng ứng với khoảng nhiệt độ từ 210-255K, 161-210K và lớn hơn 275K, trùng khớp với khoảng nhiệt độ xảy ra hiện tƣợng LTAQ đối với các mẫu đó. Do sự thay đổi năng lƣợng bất thƣờng xảy ra với các mẫu T1, T2 và T3 nên chúng tôi chỉ tiến hành làm khớp các số liệu thực nghiệm của mẫu CdS với các biểu thức Varshni và O’ Donnell để xác định các hệ số cần quan tâm. Kết quả làm khớp đƣợc biểu diễn trên hình 4.22. Từ kết quả trên Hình 4.22 có thể nhận thấy đƣờng làm khớp giữa các số liệu thực nghiệm với mô hình lý thuyết khá trùng nhau. Giá trị của các thông số làm khớp: 106 E0 -năng lƣợng vùng cấm tại 0 K, α - hệ số nhiệt độ, β - nhiệt độ Debye và  - năng lƣợng phonon của các NC CdS lần lƣợt là 2,76 eV; 0,47 (meV.K-1); 46,7 K và 7 meV. Các giá trị E0, α thu đƣợc khá phù hợp với các công bố trƣớc đó [64, 146, 147], tuy nhiên các giá trị β và  thu đƣợc lại khác xa các giá trị tƣơng ứng thu đƣợc từ các công bố khác: β=252 K với bán dẫn khối CdS [146] hay so với các NC CdS, β=300 K [148] và  = 37-38 meV [149, 150]. Với các NC, năng lƣợng phonon  chỉ có thể thay đổi trong một giới hạn xác định, nó cũng giống nhƣ năng lƣợng vùng cấm, không thể khác nhau đến 5 - 6 lần nhƣ vậy. Điều gì có thể là nguyên nhân của sự khác biệt này ? Nhƣ chúng ta đã biết, biểu thức Varshni và O’ Donnell đƣợc xây dựng cho sự thay đổi năng lƣợng vùng cấm theo nhiệt độ trong trƣờng hợp không có ứng suất. Giá trị β và  thu đƣợc từ kết quả làm khớp phƣơng trình (1.7 và 1.8) với số liệu thực nghiệm rất khác với các các giá trị tƣơng ứng của các công bố khác là một bằng chứng cho thấy sự tồn tại ứng suất khá lớn trong các NC của chúng tôi. Ứng suất này có thể chính là nguyên nhân gây nên hiện tƣợng LTAQ và dịch xanh của đỉnh phát xạ khi nhiệt độ tăng nhƣ đã quan sát thấy trong hình 4.20. Điều này chứng tỏ các biểu thức Varshni và O’ Donnell không phù hợp để áp dụng cho các NC CdS và CdS/ZnSe trong luận án này. Khi nhiệt độ thay đổi, các NC CdS chịu ứng suất gây ra do hỗn hợp bên ngoài lõi CdS bao gồm các ligand, các tiền chất và các sản phẩm phụ khác của phản ứng. Với các NC CdS/ZnSe thì cả lõi và vỏ đều chịu ứng suất do hệ số dãn nở nhiệt khác nhau của các vật liệu CdS, ZnSe cũng nhƣ từ hỗn hợp bên ngoài vỏ ZnSe đƣợc tạo thành từ các ligand, các tiền chất và các sản phẩm phụ khác của phản ứng. Sự tồn tại lớp hỗn hợp bên ngoài các NC đã đƣợc chứng minh qua việc xuất hiện các nguyên tố của ligand trong phổ EDS của chúng, Hình 4.21. Kết quả quan sát trên hình 4.20(b) cho thấy sự thay đổi năng lƣợng vùng cấm theo nhiệt độ lớn nhất với các NC CdS và nhỏ nhất với mẫu T3. Kết quả trên chứng tỏ độ rộng vùng cấm của các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe không nhạy cảm với sự thay đổi nhiệt độ nhƣ với lõi CdS, kết quả này phù hợp với các kết quả đã đƣợc công bố bởi Chon về sự thay đổi năng lƣợng vùng cấm theo nhiệt độ của các NC CdTe và CdTe/ CdSe [45]. Độ rộng vùng cấm của mẫu T3 phụ thuộc rất ít vào nhiệt độ có thể là do sự 107 khuếch tán của các nguyên tử lõi và vỏ sang nhau làm giảm sai khác về hằng số mạng. Cấu trúc T3 có một phần đƣợc hình thành từ lớp hợp kim CdZnS và ZnCdSe tại ranh giới tiếp xúc lõi/vỏ. Nhờ lớp tiếp giáp này mà sự dãn nở mạng giảm làm cho các NC T3 ít nhạy cảm nhất với sự thay đổi nhiệt độ so với các mẫu CdS, T1 và T2. Tính chất ít phụ thuộc với sự thay đổi nhiệt độ của phổ PL của các NC T3 có thể mở ra nhiều ứng dụng tiềm năng cho các thiết bị quang điện sử dụng cấu trúc này - các thiết bị có yêu cầu ổn định nhiệt cao trong phổ phát xạ của chúng. Hình 4.23. Phổ Raman của (a) CdS và (b)T2 khi nhiệt độ thay đổi từ 10-300K. Hiện tƣợng độ rộng vùng cấm tăng khi nhiệt độ tăng cũng đã quan sát thấy trên một số cấu trúc dạng hợp kim [75], giếng lƣợng tử InAsP/InP [151] hay trên các NC loại II CdTe/CdSe [44, 76]. Hiện tƣợng bất thƣờng trên đã đƣợc giải thích dựa trên đóng góp của các trạng thái exciton định xứ đƣợc hình thành do thăng giáng thế [75, 151] hoặc do kích thích nhiệt [44, 76]. Tuy nhiên trong các công bố trên, không quan sát thấy hiện tƣợng LTAQ xảy ra đồng thời với sự thay đổi bất thƣờng của năng lƣợng vùng cấm. Kết quả quan sát trên Hình 4.20 cho thấy khoảng nhiệt độ xảy ra sự tăng độ rộng vùng cấm trùng với khoảng nhiệt độ quan sát đƣợc hiện tƣợng LTAQ, nên theo chúng tôi nguyên nhân của cả hai hiện tƣợng trên có thể liên quan đến ứng suất lõi/vỏ thay đổi theo nhiệt độ. 108 Nhƣ chúng ta đã biết, độ rộng vùng cấm của bán dẫn khối thay đổi theo nhiệt độ có kết quả từ sự dãn nở mạng tinh thể và tƣơng tác của điện tử với mạng tinh thể. Ngoài nguyên nhân trên, các NC lõi/vỏ còn bị ảnh hƣởng bởi ứng suất do sai lệch hằng số mạng giữa lõi và vỏ, điều này làm thay đổi sự dãn nở mạng theo nhiệt độ. Ngoài ra mật độ phân bố và các chế độ định xứ hạt tải của các NC loại II có thể bị thay đổi khi nhiệt độ thay đổi, điều này cũng làm ảnh hƣởng đến độ rộng vùng cấm [45]. Các yếu tố trên có thể cạnh tranh lẫn nhau dẫn đến sự phụ thuộc năng lƣợng phát xạ theo nhiệt độ với các mẫu T1, T2 và T3 là khá phức tạp. Trong các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe, lõi CdS chịu ứng suất nén trong khi vỏ ZnSe chịu ứng suất kéo do CdS có hằng số mạng lớn hơn ZnSe. Ứng suất nội tại này có thể là nguyên nhân gây nên sự thay đổi bất thƣờng của độ rộng vùng cấm theo nhiệt độ đối với các mẫu T1, T2 và T3. Để tìm hiểu vấn đề này, chúng tôi tiến hành đo phổ Raman theo nhiệt độ đối với các mẫu CdS và T2 kết quả quan sát trong Hình 4.23. Hình 4.24. Sự thay đổi vị trí (a) đỉnh LOCdS và (b) đỉnh LOZnSe của các mẫu CdS và T2 trong khoảng nhiệt độ từ 10-300K (đường nét đứt). Đường liền nét chỉ ra quy luật thay đổi của các đỉnh LO. Ảnh hƣởng của nhiệt độ lên phổ Raman của các NC bán dẫn là tƣơng tự với các tinh thể bán dẫn khối [54]. Khi nhiệt độ tăng cƣờng độ tán xạ Raman giảm và vị trí 109 đỉnh dịch về phía tần số thấp. Sự phụ thuộc nhiệt độ của vị trí đỉnh phonon LOCdS của lõi CdS và mẫu T2, và đỉnh phonon LOZnSe của mẫu T2 đƣợc trình bày trên Hình 4.24. Kết quả quan sát trên Hình 4.24 với mẫu CdS cho thấy khi nhiệt độ tăng vị trí đỉnh phonon LOCdS dịch về phía tần số thấp theo quy luật thông thƣờng phù hợp kết quả độ rộng vùng cấm giảm. Sự thay đổi thông thƣờng của của tần số phonon LO của lõi CdS theo nhiệt độ đƣợc qui cho ảnh hƣởng của hệ số giãn nở nhiệt và tính không điều hòa của dao động mạng (tƣơng tác phonon-phonon). Ở tất cả các nhiệt độ, đỉnh phonon LOCdS của mẫu T2 đều có tần số cao hơn so với đỉnh phonon tƣơng ứng trong lõi CdS chứng tỏ lõi CdS trong cấu trúc NC lõi/vỏ CdS/ZnSe chịu ứng suất nén lớn hơn. Ứng suất nén lên lõi CdS gây ra do lớp vỏ ZnSe, phù hợp với các kết quả nghiên cứu lý thuyết [20]. Tuy nhiên, trong đúng khoảng nhiệt độ 161-210K xảy ra sự tăng năng lƣợng vùng cấm thì sự dịch đỉnh LOCdS và LOZnSe cũng có quy luật bất thƣờng: trong khi đỉnh LOCdS gần nhƣ không thay đổi thì đỉnh LOZnSe lại tăng. Hình 4.25. Sơ đồ vùng năng lượng của các NC CdS/ZnSe khi xảy ra hiện tượng dịch xanh của đỉnh phát xạ khi nhiệt độ tăng. Đường nét đứt là cấu trúc vùng năng lượng khi cả lõi và vỏ đều chịu ứng suất nén. Nếu chỉ nghiên cứu ảnh hƣởng của ứng suất thì ứng suất dãn làm đỉnh phonon của vỏ ZnSe dịch về phía tần số thấp và độ rộng vùng cấm của nó giảm trong khi ứng suất nén sẽ làm đỉnh phonon của lõi CdS dịch về phía tần số cao và độ rộng vùng cấm của nó tăng. Tuy nhiên trong thực tế sự thay đổi vị trí đỉnh phonon theo nhiệt độ trong các NC CdS và CdS/ZnSe chịu sự chi phối của ba yếu tố: i) giãn nở mạng tinh thể, ii) hiệu ứng tƣơng tác không điều hòa giữa các phonon [145], và iii) ứng suất giữa lõi và 110 vỏ. Trong từng khoảng nhiệt độ khác nhau thì ảnh hƣởng của các yếu tố trên là rất khác nhau, chính điều này làm cho sự phụ thuộc của năng lƣợng phát xạ vào nhiệt độ của các NC lõi/vỏ CdS/ZnSe là khá phức tạp. Từ hình 4.24(b) nhận thấy trong khoảng nhiệt độ 161-210K thì đỉnh LOZnSe dịch ngƣợc về phía tần số cao chứng tỏ trong khoảng nhiệt độ này vỏ ZnSe lại chịu ứng suất nén. Dƣới ứng suất nén này, vùng cấm của vỏ ZnSe bị mở rộng, khi đó điện tử ở đáy vùng dẫn của CdS tái hợp với lỗ trống ở đỉnh vùng hóa trị của vỏ ZnSe sẽ có năng lƣợng lớn hơn, gây nên sự dịch xanh của đỉnh phát xạ. Sơ đồ vùng năng lƣợng của các NC CdS/ZnSe khi xảy ra hiện tƣợng dịch xanh của đỉnh phát xạ có thể quan sát trên hình 4.25. Tùy thuộc vào bề dày lớp vỏ và lớp tiếp giáp giữa lõi và vỏ mà ứng suất nén lên vỏ ZnSe có thể xuất hiện trong các khoảng nhiệt độ khác nhau. Vì vậy sự dịch xanh của đỉnh phát xạ khi nhiệt độ tăng đối với các mẫu T1, T2 và T3 sẽ xảy ra ở các khoảng nhiệt độ khác nhau nhƣ đã quan sát thấy trên Hình 4.20(b). Nhƣ vậy có thể kết luận nguyên nhân độ rộng vùng cấm của các mẫu T1, T2 và T3 tăng khi nhiệt độ tăng tƣơng ứng từ 210-255K, 161-210K và lớn hơn 275K là do ứng suất tác dụng lên vỏ ZnSe chuyển từ ứng suất dãn sang ứng suất nén. Bây giờ chúng ta sẽ xem xét mối liên hệ giữa ứng suất, sự dịch xanh của đỉnh phát xạ và hiện tƣợng LTAQ do quan sát thấy đúng khoảng nhiệt độ xảy ra sự dịch xanh của đỉnh phát xạ thì cũng xảy ra hiện tƣợng LTAQ. Kết quả trên chƣa từng đƣợc quan sát thấy trong các công bố trƣớc đó nên chúng tôi đề xuất một cách giải thích nhƣ sau: Các mẫu đo PL và Raman theo nhiệt độ ở dạng màng rắn, khi đó các nguyên tử rất gần nhau nên chúng tƣơng tác mạnh với nhau. Dƣới tác dụng của ứng suất lõi/vỏ, các nguyên tử lệnh khỏi vị trí đúng của chúng trong mạng tinh thể, điều này sẽ kích hoạt các trạng thái bẫy hạt tải làm giảm cƣờng độ huỳnh quang. Trong khoảng nhiệt độ thích hợp từ 210-255K, 161-210K và lớn hơn 275K tƣơng ứng với các mẫu T1, T2 và T3 thì các nguyên tử trở về vị trí đúng của chúng trong mạng tinh thể sẽ gây nên sự hồi phục quang – hiện tƣợng LTAQ. Tuy nhiên, nếu tiếp tục tăng nhiệt độ lên, các nguyên tử lại tiếp tục bị lệch khỏi vị trí đúng sẽ lại kích hoạt các tâm dập tắt, làm giảm cƣờng độ PL theo quy luật chung của vật liệu bán dẫn. Cƣờng độ PL thay đổi rất ít theo nhiệt độ của mẫu T3 cũng chứng tỏ ứng suất lõi/vỏ trong cấu trúc này nhỏ hơn trong các cấu 111 trúc T1và T2. Đây cũng là bằng chứng khá thuyết phục về tác dụng của lớp tiếp giáp trong việc giảm sai khác hằng số mạng và ứng suất trong các NC có cấu trúc lõi/vỏ. KẾT LUẬN CHƢƠNG 4 Các kết quả nghiên cứu cho thấy các đặc trƣng phát xạ loại I, loại II của các NC CdS/ZnSe có thể điều khiển khi thay đổi kích thƣớc lõi, chiều dày vỏ và lớp tiếp giáp lõi/vỏ. Chiều dày lớp vỏ ZnSe tăng làm tăng cƣờng khả năng tách điện tích giữa lõi và vỏ và tăng thời gian sống exciton. Các NC CdS/ZnSe ở chế độ định xứ loại I nếu kích thƣớc lõi CdS nhỏ và vỏ ZnSe mỏng, khi đó cƣờng độ phát xạ của các NC CdS/ZnSe lớn hơn cƣờng độ phát xạ của lõi CdS do lớp vỏ ZnSe thụ động hóa bề mặt các NC CdS. Các NC CdS/ZnSe với lớp vỏ dày ở chế độ định xứ loại II, khi đó cƣờng độ phát xạ giảm nếu tăng chiều dày lớp vỏ do tăng cƣờng đặc trƣng loại II. Tính chất quang phụ thuộc nhiệt độ và công suất kích thích của các NC CdS/ZnSe đã đƣợc nghiên cứu và giải thích. Cấu trúc NC lõi/đệm/vỏ loại II CdS/ZnSe có lớp tiếp giáp đƣợc tạo thành bằng phƣơng pháp ủ nhiệt có các tính chất quang ít phụ thuộc vào nhiệt độ. Sự dịch xanh của đỉnh PL khi công suất kích thích cao đối với các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe không có lớp đệm hợp kim là hệ quả của hiệu ứng BB do tăng cƣờng sự tách điện tích giữa lõi và vỏ. Đối với các NC lõi/đệm/vỏ loại II CdS/ZnSe có lớp đệm hợp kim ZnCdS và CdZnSe thì khi công suất kích thích cao phổ PL vừa dịch xanh vừa mở rộng do hiệu ứng BB và hiện tƣợng làm đầy trạng thái là hệ quả của hàng rào thế thay đổi dần do khuếch tán. Hiện tƣợng LTAQ và tăng năng lƣợng vùng cấm của các NC CdS/ZnSe khi nhiệt độ tăng có nguyên nhân từ sự dãn nở mạng tinh thể và ứng suất lõi/vỏ. 112 KẾT LUẬN Các nội dung chính và kết quả mới của luận án: 1. Chứng minh lõi CdS bị tan ra trong quá trình bọc vỏ ZnSe và tạo thành các NC loại I có cấu trúc đảo ngƣợc CdS/CdSe. Đƣa ra các giải pháp công nghệ nhằm hạn chế tối đa sự tan ra của lõi CdS giúp chế tạo thành công các nano tinh thể (NC) lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe bao gồm: i) các NC lõi CdS cần chế tạo ở nhiệt độ cao (310oC) để có chất lƣợng tinh thể tốt và phân bố kích thƣớc hẹp, ii) nhiệt độ bọc vỏ phù hợp để lớp vỏ ZnSe có thể phát triển đƣợc trên lõi CdS và hạn chế sự tan ra của lõi CdS, iii)bơm nhanh dung dịch chứa các NC lõi CdS đã đƣợc làm sạch và các iôn Se2-, Zn2+ với nồng độ cao (0,4M) vào dung môi ODE ở nhiệt độ phản ứng thích hợp (230oC). 2. Kết quả nghiên cứu cho thấy có thể điều khiển đặc trƣng phát xạ loại I và II nhờ việc thay đổi: i) kích thƣớc lõi và chiều dày vỏ, ii) chiều dày và thành phần lớp tiếp giáp. 3. Giải thích sự dịch xanh của đỉnh phát xạ và mở rộng phổ huỳnh quang đối với các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe tại công suất kích thích cao: i) trƣờng hợp không có lớp tiếp giáp là hệ quả của hiệu ứng uốn cong vùng cấm (uốn cong vùng về mặt vật lý), ii) trƣờng hợp có lớp tiếp giáp là do cả hai hiệu ứng: BB và làm đầy vùng (uốn cong vùng về mặt hóa học do các nguyên tử khuếch tán sang nhau). 4. Ứng suất và hệ số dãn nở nhiệt khác nhau giữa lõi và vỏ là nguyên nhân gây nên hiện tƣợng chống dập tắt huỳnh quang do nhiệt độ và sự mở rộng năng lƣợng vùng cấm khi nhiệt độ tăng. 113 DANH MỤC CÁC CÔNG BỐ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN I. Bài báo quốc tế thuộc danh mục SCI 1. Nguyen Xuan Ca, V.T.K. Lien, N.X. Nghia, T.T.K. Chi, T.L. Phan, Type-II CdS/ZnSe core/shell heterostructures: UV–vis absorption, photoluminescence and Raman scattering studies, Materials Science and Engineering B 200, 107–116 (2015) (IF= 2.17). 2. Nguyen Xuan Ca, V.T.K Lien, N.X. Nghia, T.T.K Chi and The-Long Phan, Tunable luminescent emission characterization of type-I and type-II systems in CdS/ZnSe core/shell nanoparticles: Raman and photoluminescence studies, Nanotechnology 26, 445701 (2015) (IF= 3.82). II. Bài báo đăng trên tạp chí quốc gia 1. Nguyen Xuan Ca, Nguyen Trung Kien, Vu Thi Kim Lien, Nguyen Xuan Nghia, Synthesis and characterization of type -II CdS/ZnSe core/ shell nanostructures, Tạp chí KHCN Đại học Thái Nguyên 96, 45-48 (2012). 2. Nguyen Xuan Ca, Nguyen Thi Dung, Vu Thi Kim Lien, Nguyen Xuan Nghia, Temperature dependent photoluminescence of type-II CdS/ZnSe core/shell nanostructures, Tạp chí Khoa học và Công nghệ 50 (1B), 432-440 (2012). 3. Nguyễn Xuân Ca, Nguyễn Đình Vinh, Nguyễn Xuân Nghĩa, Ảnh hƣởng của nhiệt độ chế tạo đến sự hình thành và tính chất quang của các nano tinh thể lõi vỏ loại II CdS/ZnSe, Tạp chí Hóa học 51 , 804-808 (2013). III. Báo cáo đăng trên kỷ yếu hội nghị khoa học 1. Nguyen Xuan Ca, Nguyen Thi Hien, Nguyen Thi Thuy Lieu, Nguyen Xuan Nghia, Optical properties of type-II CdS/ZnSe core/ shell nanostructures, Advances in Optics Photonics Spectroscopy Applications VI, 505-510, ISSN 1859-4271 (2010). 2. Nguyen Xuan Ca, Nguyen Thi Dung, Nguyen Xuan Nghia, Synthesis and characterization of high quality CdS quantumdot in noncoordinating solvents, Proceedings the 2 nd Academic Conference on Natural Science for Master and PhD Students from Cambodia, Laos, Malaysia and Vietnam (CLV-02) , 234-240 (2011). 3. Nguyen Xuan Ca, Nguyen Thi Dung, Nguyen Xuan Nghia, Synthesis of type -II CdS/ZnSe core/ shell nanostructures showing photoinduce electron – transfer, 114 Proceedings the 2 nd Academic Conference on Natural Science for Master and PhD Students from Cambodia, Laos, Malaysia and Vietnam (CLV-02), 188-194 (2011). 4. Nguyen Xuan Ca, Nguyen Trung Kien, Nguyen Xuan Nghia, Synthesis and characterization of type-II ZnSe/CdS core/shell nanostructures, Advances in Optics Photonics Spectroscopy Applications VII, 655-659, ISSN 1859-4271 (2012). 115 TÀI LIỆU THAM KHẢO 1. S. A. Ivanov, A. Piryatinski, J. Nanda, S. Tretiak, K. R. Zavadil, W. O. Wallace, D. Werder, and V. I. Klimov, “Type-II Core/Shell CdS/ZnSe Nanocrystals: Synthesis, Electronic Structures, and Spectroscopic Properties”, J. Am. Chem. Soc. 129, 11708-11719 (2007). 2. X. Peng, J. Wickham, A. P. Alivisatos, “Kinetics of II-VI and III-V Colloidal Semiconductor Nanocrystal Growth: “Focusing” of Size, Distributions”, J. Am. Chem. Soc. 120, 5343-5344 (1998). 3. W. W. Yu, X. Peng, “Formation of High-Quality CdS and Other II-VI Semiconductor Nanocrystals in Noncoordinating Solvents: T unable Reactivity of Monomers”, Angew. Chem. Int. Ed. 41, 2368-2371 (2002). 4. C. R. Bullen, P. Mulvaney, “Nucleation and Growth Kinetics of CdSe Nanocrystals in Octadecene”, Nano Lett. 4, 2303-2307 (2004). 5. Y. Hongwei, L. Weiling, W. Zhen, T. Shan-tung, Y. Wei-Kang, and M. W. Zhiming, “Continuous Synthesis of Full-Color Emitting Core/Shell Quantum Dots via Microreaction”, Crystal Growth & Design. 9, 4807-4813 (2009). 6. L. Qu, X. Peng, “Control of Photoluminescence Properties of CdSe Nano-crystals in Growth”, J. Am. Chem. Soc. 124, 2049-2055 (2002). 7. X. Renguo, L. Zheng and P. Xiaogang, “Nucleation Kinetics vs Chemical Kinetics in the Initial Formation of Semiconductor Nanocrystals”, J. Am. Chem. Soc. 131, 15457 (2009). 8. W. Luan, H. Yang, S. T. Tu, Z. Wang, “Open-to-air synthesis of monodies-perse CdSe nanocrystals via microfluidic reaction and its kinetics”, Nanotechnology. 18, 175603-175608 (2007). 9. S. F. Wuister, F. V. Driel, A. Meijerink, “Luminescence of CdTe nanocrystals”, J. Lumi. 102, 327–332 (2003). 10. S. S. Lo, T. Mirkovic, C. H. Chuang, C. Burda, and G. D. Scholes, “Emergent Properties Resulting from Type-II Band Alignment in Semiconductor Nanoheterostructures”, Adv. Mater. 23, 180-197 (2011). 11. K. Yu, B. Zaman, S. Romanova, D. S. Wang, J. A. Ripmeester, “Sequential Synthesis of Type II Colloidal CdTe/CdSe Core–Shell Nanocrystals”, Small. 1, 332–338 (2005). 12. R. G. Xie, X. H. Zhong, T. Basche, “Synthesis, Characterization, and Spectroscopy of Type-II Core/Shell Semiconductor Nanocrystals with ZnTe Cores”, Adv. Mater. 17, 2741–2744 (2005). 13. D. J. Milliron, S. M. Hughes, Y. Cui, L. Manna, J. B. Li, L. W. Wang, A. P. Alivisatos, “Colloidal nanocrystal heterostructures with linear and branched topology”, Nature. 430, 190–195 (2004). 116 14. R. G. Xie, U. Kolb, T. Basche´, “Design and synthesis of colloidal nanocrystal heterostructures with tetrapod morphology”, Small. 2, 1454–1457 (2006). 15. B. Klaus, N. S. Kyra, K. Nicholas, A. S. Trevor, and P. Mulvaney, “Electronic Structure Engineering in ZnSe/CdS Type-II Nanoparticles by Interface Alloying”, J. Phys. Chem. C. 118, 13276−13284 (2014). 16. P. Dimuthu, L. Ryan, S. K. Rony, M. Pavel, T. O’Connor, D. Khon, G. Diederich, E. Kinder, S. Lambright, F. N. Castellano, and M. Zamkov, “Photocatalytic Activity of Core/Shell Semiconductor Nanocrystals Featuring Spatial Separation of Charges”, J. Phys. Chem. C. 116, 22786−22793 (2012). 17. Z. Fang, Z. Gu, W. Zhu, and X. Zhong, “Design and Synthesis of High-Quality CdS/ZnSe Type-II Core/Shell Nanocrystals”, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5880- 5885 (2009). 18. W. Zhang, G. Chen, J. Wang, B. Ye, and X. Zhong, “Design and Synthesis of Highly Luminescent Near-Infrared-Emitting Water-Soluble CdTe/CdSe/ZnS Core/Shell/Shell Quantum Dots”, Inorg. Chem. 48, 9723–9731 (2009). 19. J. Z. Niu, H. Shen, C. Zhou, W. Xu, X. Li, H. Wang, S. Lou, Z. Du and L. S. Li, “Controlled synthesis of high quality type-II/type-I CdS/ZnSe/ZnS core/shell1/shell2 nanocrystals”, Dalton Trans. 39, 3308-3314 (2010). 20. S. M. Fairclough, E. J. Tyrrell, D. M. Graham, P. J. B. Lunt, S. J. O. Hardman, A. Pietzsch, F. Hennies, J. Moghal, W. R. Flavell, A. A. R. Watt, and J. M. Smith, “Growth and Characterization of Strained and Alloyed Type-II ZnTe/ZnSe Core– Shell Nanocrystals”, J. Phys. Chem. C. 116, 26898- 26907 (2012). 21. J. Bang, J. Park, J. H. Lee, N. Won, J. Nam, J. Lim, B. Y. Chang, H. J. Lee, B. Chon, J. Shin, J. B. Park, J. H. Choi, K. Cho, S. M. Park, T. Joo and S. Kim, “ZnTe/ZnSe (Core/Shell) Type-II Quantum Dots: Their Optical and Photovoltaic Properties”, Chem. Mater. 22, 233-240 (2010). 22. S. A. Ivanov, M. Achermann, “Spectral and Dynamic Properties of Excitons and Biexcitons in Type-II Semiconductor Nanocrystals”, ACS Nano. 4, 5994 – 6000 (2010). 23. V. I. Klimov, S. A. Ivanov, J. Nanda, M. Achermann, I. Bezel, J. A. McGuire, A. Piryatinski, “Single-exciton optical gain in semiconductor nanocrystals”, Nature. 447, 441- 446 (2007). 24. J. Nanda, S. A. Ivanov, M. Achermann, I. Bezel, A. Piryatinski, V. I. Klimov, “Light Amplification in the Single-Exciton Regime Using Exciton−Exciton Repulsion in Type-II Nanocrystal Quantum Dots”, J. Phys. Chem. C. 111, 15382- 15390 (2007). 25. D. Shaw, “Diffusion mechanisms in II–VI materials”, J. Cryst. Growth .86, 778 (1988). 117 26. X. Cai, H. Mirafzal, K. Nguyen, V. Leppert, and D. F. Kelley, “Spectroscopy of CdTe/CdSe Type-II Nanostructures: Morphology, Lattice Mismatch, and Band- Bowing Effects”, J. Phys. Chem. C. 116, 8118-8127 (2012). 27. Z. Jiang and D. F. Kelley, “Stranski–Krastanov Shell Growth in ZnTe/CdSe Core/Shell Nanocrystals”, J. Phys. Chem. C. 117, 6826-6834 (2013). 28. Y. S. Park, W. K. Bae, L. A. Padilha, J. M. Pietryga, and V. I. Klimov, “Effect of the Core/Shell Interface on Auger Recombination Evaluated by Single-Quantum- Dot Spectroscopy”, Nano Lett. 14, 396−402 (2014). 29. S. Kim, B. Fisher , H. J. Eisler , and M. Bawendi, “Type-II Quantum Dots: “CdTe/CdSe(Core/Shell) and CdSe/ZnTe(Core/Shell) heterostructures”, J. Am. Chem. Soc. 125, 11466-11473 (2003). 30. N. N. Hewa-Kasakarage, N. P. Gurusinghe, and M. Zamkov, “Blue-Shifted Emission in CdTe/ZnSe Heterostructured Nanocrystals”, J. Phys. Chem. C. 113, 4362–4368 (2009). 31. B. Blackman, D. Battaglia and X. Peng, “Bright and Water-Soluble Near IR- Emitting CdSe/CdTe/ZnSe Type-II/Type-I Nanocrystals, Tuning the Efficiency and Stability by Growth”, Chem. Mater. 20, 4847–4853 (2008). 32. P. T. K. Chin , C. D. M. Donega , S. S. Bavel , S. C. J. Meskers , N. A. J. M. Sommerdijk , and R. A. J. Janssen , “Highly Luminescent CdTe/CdSe Colloidal Heteronanocrystals with Temperature-Dependent Emission Color”, J. Am. Chem. Soc. 129, 14880–14886 ( 2007). 33. X. Wen, A. Sitt, P. Yu, Y. R. Toh and J. Tang, “Temperature dependent spectral properties of type-I and quasi type-II CdSe/CdS dot-in-rod nanocrystals”, Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 3505-3512 (2012). 34. J. Lee, E. S. Koteles, and M. O. Vassell, “Luminescence linewidths of excitons in GaAs quantum wells below 150 K”, Phys. Rev. B. 33, 5512 (1986). 35. A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald and L. E. Brus, “Electron–vibration coupling in semiconductor clusters studied by resonance Raman spectroscopy”, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989). 36. B. T. Huy, M. H. Seo, P. T. Phong, J. M. Lim, Y. L. Lee, “Facile synthesis of highly luminescent Mg(II), Cu(I)-codoped CdS/ZnSe core/shell nanoparticles”, Chem. Engin. J. 236, 75-81 (2014). 37. A. Jamshidi, C. Yuan, V. Chmyrov, J. Widengren, L. Sun, and H. Agren, “Efficiency Enhanced Colloidal Mn-Doped Type II Core/Shell ZnSe/CdS Quantum Dot Sensitized Hybrid Solar Cells”, J. Nanomater., Article ID 921903 (2015). 38. L.I. Berger, Semiconductor Materials, CRC Press, Florida (1996). 39. C. H. Chuang, S. S. Lo, G. D. Scholes, and C. Burda, “Charge Separation and Recombination in CdTe/CdSe Core/Shell Nanocrystals as a Function of Shell 118 Coverage: Probing the Onset of the Quasi Type-II Regime”, J. Phys. Chem. Lett. 1, 2530-2535 (2010). 40. Z. Ning, H. Tian, C. Yuan, Y. Fu, H. Qin, L. Sun and Hans A, “Solar cells sensitized with type-II ZnSe–CdS core/shell colloidal quantum dots”, Chem. Commun. 47, 1536–1538 (2011). 41. B. D. Mangum , F. Wang , A. M. Dennis , Y. Gao , X. Ma , J. A. Hollingsworth , and H. Htoon, “Competition between Auger Recombination and Hot-Carrier Trapping in PL Intensity Fluctuations of Type II Nanocrystals”, Small. 10, 2892 (2014). 42. Y. Kelestemur, B. Guzelturk, O. Yerli, U. Kurum, H. G. Yaglioglu, A. Elmali, and H. V. Demir, “Attractive versus Repulsive Excitonic Interactions of Colloidal Quantum Dots Control Blue- to Red-Shifting (and Non-shifting) Amplified Spontaneous Emission”, J. Phys. Chem. Lett. 4, 4146−4152 (2013). 43. L. Zhang, Z. Lin, J. W. Luo, and A. Franceschetti, “The Birth of a Type-II Nanostructure: Carrier Localization and Optical Properties of Isoelectronically Doped CdSe:Te Nanocrystals”, ACS Nano. 6, 8325-8334 (2012). 44. C. H. Wang, T. T. Chen, K. W. Tan, Y. F. Chen, C. T. Cheng and P. T. Chou, “Photoluminescence properties of CdTe∕CdSe core-shell type-II quantum dots”, J. Appl. Phys. 99, 123521 (2006). 45. B. Chon, J. Bang, J. Park, C. Jeong, J. H. Choi, J. –B. Lee, T. Joo, S. Kim, “Unique Temperature Dependence and Blinking Behavior of CdTe/CdSe (Core/Shell) Type-II Quantum Dots”, J. Phys. Chem. C. 115, 436-442 (2011). 46. S. Verma, S. Kaniyankandy, and H. N. Ghosh, “Charge Separation by Indirect Bandgap Transitions in CdS/ZnSe Type-II Core/Shell Quantum Dots”, J. Phys. Chem. C. 117, 10901-10908 (2013). 47. C. M. Donega, “Formation of nanoscale spatially indirect excitons: Evolution of the type-II optical character of CdTe/CdSe heteronanocrystals”, Phys. Rev. B. 81, 165303 (2010). 48. A. G. Vitukhnovsky, A. S. Shulga, S.A. Ambrozevich, E.M. Khokhlov, R.B. Vasiliev, D.N. Dirin , V.I. Yudson, “Effect of branching of tetrapod-shaped CdTe/CdSe nanocrystal heterostructures on their luminescence”, Phys. Lett. A. 373, 2287–2290 (2009). 49. A. Samanta, Z. Deng, and Y. Liu, “Aqueous Synthesis of Glutathione-Capped CdTe/CdS/ZnS and CdTe/CdSe/ZnS Core/Shell/Shell Nanocrystal Heterostructures”, Langmuir. 28, 8205−8215 (2012) 50. P. D. Hodgson, R. J. Young, M. Ahmad Kamarudin, P. J. Carrington, A. Krier, Q. D. Zhuang, E. P. Smakman, P. M. Koenraad and M. Hayne, “Blueshifts of the emission energy in type-II quantum dot and quantum ring nanostructures”, J. Appl. Phys. 114, 073519 (2013) 119 51. P. J. Simmonds, R. B. Laghumavarapu, M. Sun, A. D. Lin, C. J. Reyner, B. L. Liang, and D. L. Huffaker, “Structural and optical properties of InAs/AlAsSb quantum dots with GaAs(Sb) cladding layers”, Appl. Phys. Lett. 100, 243108 (2012). 52. K. Meada, M. Eguchi, S. A. Lee, W. J. Youngblood, H.hata and T.E.Mallouk, “Photocataltic Hydrogen evolution from hexaniobate nanoscolls and calcium nioate nanosheets senitized by ruthenium (II) bipyridy complexe”, J. Phys. Chem. C. 113, 7962-7969 (2009). 53. X. Peng, “Mechanisms for the Shape-Control and Shapey-Evolution of colloidal Semiconductors Nanocrystals”, Adv. Mater. 15, 459-463 (2003). 54. N. S. Yuksek and N. M. Gasanly, “Temperature dependence of Raman-active mode frequencies and linewidths in TiGaSe2 layered crystals”, Cryst. Res. Technol. 40, 264-270 (2005). 55. D. Valerini, A. Cretí, M. Lomascolo, L. Manna, R. Cingolani, and M. Anni, “Temperature dependence of the photoluminescence properties of colloidal CdSe∕ZnS core/shell quantum dots embedded in a polystyrene matrix”, Phys. Rev. B. 71, 235409-235415 (2005). 56. Q. Wang, D. Pan, S. Jiang, X. Ji, L. An, B. Jiang, “Solvothermal route to size- and shape-controlled CdSe and CdTe nanocrystals”, J Crys. Growth. 286, 83–90 (2006). 57. H. Yang, W. Luan, S. Tu, Z. M. Wang, “High-Temperature Synthesis of CdSe Nanocrystals in a Serpentine Microchannel: Wide Size Tunability Achieved under a Short Residence Time”, Cryst. Growth. Des. 9, 1569 (2009). 58. C. B. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi, “Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites”, J. Am. Chem. Soc. 115, 8706–8715 (1993). 59. Y. C. Cao and J. Wang, “One-Pot Synthesis of High-Quality Zinc-Blende CdS Nanocrystals”, J. Am. Chem. Soc. 126, 14336-14337 (2004). 60. W. W. Yu , L. Qu , W. Guo , and X. Peng, “Experimental Determination of the Extinction Coefficient of CdTe, CdSe, and CdS Nanocrystals”, Chem. Mater. 15, 2854 (2003). 61. Y. Jun , S. Lee , N. Kang , and J. Cheon, “Controlled Synthesis of Multi-armed CdS Nanorod Architectures Using Monosurfactant System”, J. Am. Chem. Soc. 123, 5150-5151 (2001). 62. K. T. Yong , Y. Sahoo , M .T. Swihart , and P. N. Prasad “Shape Control of CdS Nanocrystals in One-Pot Synthesis”, J. Phys. Chem. C 111, 2447-2458 (2007). 63. Y. Zou, D. S. Li, D. Yang, “Noninjection Synthesis of CdS and Alloyed CdSxSe1-x Nanocrystals Without Nucleation Initiators”, Nanoscale Res. Lett. 5, 966–971 (2010). 120 64. L. L. Yan, Y. T. Li, C. X. Hu, X. J. Li, “Temperature-dependent photoluminescence and mechanism of CdS thin film grown on Si nanoporous pillar array”, Appl. Surf. Scien. 349, 219–223 (2015). 65. Cullity, B. D. Elements of X-Ray Diffraction; Addison-Wesley: Reading, MA (1978). 66. Q. Dai, D. Li, S. Jiang, H. Chen, Y. Wang, S. Kan, B. Liu, Q. Cui, G. Zou, “Synthesis of monodisperse CdSe nanocrystals directly open to air: Monomer reactivity tuned by the selenium ligand”, J Crys. Growth. 292, 14-18 (2006). 67. J. Ouyang, J. Kuijper, S. Brot, D. Kingston, X. Wu, D. M. Leek, M. Z. Hu, J. A. Ripmeester and K. Yu, “Photoluminescent Colloidal CdS Nanocrystals with High Quality via Noninjection One-Pot Synthesis in 1-Octadecene”, J. Phys. Chem. C. 113, 7579–7593 (2009). 68. D. Pan, X. Ji, L. An, and Y. Lu, “Observation of Nucleation and Growth of CdS Nanocrystals in a Two-Phase System” , Chem. Mater. 20, 3560–3566 (2008). 69. T. S. Jeong, P. Y. Yu and T. S. Kim, “Temperature dependence of the free excitons in a CdS single crystal”, J. Kore. Phys. Soci. 36, 102-105 (2000). 70. W. Luan, H. Yang, S. Tu and Z. Wang, “Open-to-air synthesis of monodisperse CdSe nanocrystals via microfluidic reaction and its kinetics”, Nanotechnology. 18, 175603 (2007). 71.S. F. Wuister, F. V. Driel and A. Meijerink “Luminescence and growth of CdTe quantum dots and clusters”, Phys. Chem. Chem. Phys. 5, 1253–1258 (2003). 72. C. Weisbuch and B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures, Academic Boston, 20. (1991). 73. S. Maiti, T. Debnath, P. Maity, and H. N. Ghosh, Tuning the Charge Carrier Dynamics via Interfacial Alloying in Core/Shell CdTe/ZnSe NCs J. Phys. Chem. C. 120, 1918–1925 (2016). 74. S. Sapra and D. D. Sarma, “Evolution of the electronic structure with size in II-VI semiconductor nanocrystals”, Phys. Rev. B. 69, 125304 (2004). 75. R. Seguin, S. Rodt, A. Strittmatter, L. Reißmann, T. Bartel, A. Hoffmann, D. Bimberg, E. Hahn and D. Gerthsen, “Multi-excitonic complexes in single InGaN quantum dots”, Appl. Phys. Lett. 84, 4023, (2004). 76. C. H. Wang, T. T. Chen, Y. F. Chen, M. L. Ho, C. W. Lai and P. T. Chou, “Recombination dynamics in CdTe/CdSe type-II quantum dots”, Nanotechnology. 19, 115702 (2008). 77. S. Rawalekar, S. Kaniyankandy, S. Verma, and H. N. Ghosh, “Effect of Surface States on Charge-Transfer Dynamics in Type II CdTe/ZnTe Core_Shell Quantum Dots: A Femtosecond Transient Absorption Study”, J. Phys. Chem. C. 115, 12335–12342 (2011). 121 78. C. H. Chuang, T. L. Doane, S. S. Lo, G. D. Scholes, and C. Burda, “Measuring Electron and Hole Transfer in Core/Shell Nanoheterostructures”, Acs Nano. 5, 6016-6024 (2011). 79. B. Tell, T. C. Damen, and S. P. S. Porto, “Raman Effect in Cadmium Sulfide”, Phys. Rev. 144, 771 (1966). 80. V. M. Dzhagan, M. Y. Valakh, C. Himcinschi, A. G. Milekhin, D. Solonenko, N. A. Yeryukov, O. E. Raevskaya, O. L. Stroyuk, and D. R. T. Zahn, “Raman and Infrared Phonon Spectra of Ultrasmall Colloidal CdS Nanoparticles”, J. Phys. Chem. C. 118, 19492−19497 (2014). 81. T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehner, “Excitation-power dependence of the near-band-edge hotoluminescence of semiconductors”, Phys. Rev. B. 45, 8989 (1992). 82. W. K. Bae, L. A. Padilha, Y. S. Park, H. McDaniel, I. Robel, J. M. Pietryga, and V. I. Klimov, “Controlled Alloying of the Core–Shell Interface in CdSe/CdS Quantum Dots for Suppression of Auger Recombination”, ACS Nano. 7, 3411- 3419 (2013). 83. A. M. Saad, M. M. Bakr, I. M. Azzouz, T. H. Maram and A. Kana “Effect of temperature and pumping power on the photoluminescence properties of type-II CdTe/CdSe core-shell QDs”, Appl. Surf. Scien. 257, 8634-8639 (2011). 84. S. F. Wuister, A. Houselt, C. M. Donegá, D. Vanmaekelbergh, A. Meijerink, “Temperature Antiquenching of the Luminescence from Capped CdSe Quantum Dots”, Angew. Chem. Int. Ed. 43, 3029-3033 (2004). 85. V. M. Dzhagan, M. Y. Valakh, A. E. Raevskaya, A. L. Stroyuk, S. Y. Kuchmiy and D. R. T. Zahn, “Size effects on Raman spectra of small CdSe nanoparticles in polymer films”, Nanotechnology. 19, 305707 (2008). 86. A. V. Baranov, Yu. P. Rakovich, J. F. Donegan, T. S. Perova, R. A. Moore, D. V. Talapin, A. L. Rogach, Y. Masumoto, and I. Nabiev, “Effect of ZnS shell thickness on the phonon spectra in CdSe quantum dots”, Phys. Rev. B. 68, 165306 (2003). 87. G. Morello, M. De Giorgi , S. Kudera , L. Manna , R. Cingolani , and M. Anni, “Temperature and Size Dependence of Nonradiative Relaxation and Exciton−Phonon Coupling in Colloidal CdTe Quantum Dots”, J. Phys. Chem. C. 111, 5846-5849 (2007). 88. G. Morello, A. Fiore, R. Mastria, A. Falqui, A. Genovese, A. Cretì, M. Lomascolo, I. R. Franchini, L. Manna, F. D. Sala, R. Cingolani, and M. D. Giorgi, “Temperature and Size Dependence of the Optical Properties of Tetrapod-Shaped Colloidal Nanocrystals Exhibiting Type-II Transitions”, J. Phys.Chem. C. 115, 18094-18104 (2011). 122 89. A. Nemchinov, M. Kirsanova, N. N. Hewa-Kasakarage and M. Zamkov, “Synthesis and Characterization of Type II ZnSe/CdS Core/Shell Nanocrystals”, J. Phys. Chem. C. 112, 9301-9307 (2008). 90. D. Gachet, A. Avidan, I. Pinkas and D. Oron, “An Upper Bound to Carrier Multiplication Efficiency in Type II Colloidal Quantum Dots”, Nano Lett. 10, 164- 170 (2010). 91. S. Kaniyankandy, S. Rawalekar and H. N. Ghosh, “Charge carrier cascade in Type II CdSe–CdTe graded core–shell interface”, J. Mater. Chem. C. 1, 2755–2763 (2013). 92. P. K. Jain, L. Amirav, S. Aloni and A. P. Alivisatos, “Nanoheterostructure Cation Exchange: Anionic Framework Conservation”, J.Am. Chem. Soc. 132, 9997−9999 (2010). 93. H. Li, R. Brescia, R. Krahne, G. Bertoni, M. J. P. Alcocer, C. D’Andrea, F. Scotognella, F. Tassone, M. Zanella, M. D. Giorgi, and L. Manna, “Blue-UV- Emitting ZnSe(Dot)/ZnS(Rod) Core/Shell Nanocrystals Prepared from CdSe/CdS Nanocrystals by Sequential Cation Exchange”, ACS Nano. 6, 1637−1647 (2012). 94. E. Groeneveld, L. Witteman, M. Lefferts, X. Ke, S. Bals, G. V. Tendeloo, and C. D. M. Donega, “Tailoring ZnSe–CdSe Colloidal Quantum Dots via Cation Exchange: From Core/Shell to Alloy Nanocrystals”, ACS Nano. 7, 7913−7930 (2013). 95. Y. M Azhniuk, A. V. Gomonnai, V. V. Lopushansky, Y. I. Hutych, I. I. Turok and D. R. T. Zahn, “Resonant Raman scattering studies of Cd1-xZnxS nanocrystals”, J. Phys. Conf. Ser. 92, 012044 (2007). 96. S. Dey, S. Chen, S. Thota, M. R. Shakil, S. L. Suib, and J. Zhao, Effect of Gradient Alloying on Photoluminescence Blinking of Single CdSxSe1-x Nanocrystals, J. Phys. Chem. C, Accepted Manuscript (2016). 97. J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, S. H. Huang, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker, D. A. Bussian, H. Htoon and V. Klimov, “Lasing characteristics of GaSb∕GaAs self-assembled quantum dots embedded in an InGaAs quantum well”, Appl. Phys. Lett. 90, 261115 (2007). 98. A. Alvarez, D. Alen, B. G. Martinez, J. Manuel, R. J. Maria, “Optical investigation of type II GaSb/GaAs self-assembled quantum dots”, Appl. Phys Lett. 91, 263103 (2007). 99. Y. I. Mazur, V. G. Dorogan, G. J. Salamo, G. G. Tarasov, B. L. Liang, C. J. Reyner, K. Nunna and D. L. Huffaker, “Coexistence of type-I and type-II band alignments in antimony-incorporated InAsSb quantum dot nanostructures”, Appl. Phys. Lett. 100, 033102 (2012). 100. L. Kirsch, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, D. Bimberg, H. Kirmse and W. Neumann, “Many-particle effects in type II quantum dots”, Appl. Phys. Lett. 78, 123 3908 (2001). 101. B. Bansal, S. Godefroo, M. Hayne, G. Medeiros-Ribeiro, and V. V. Moshchalkov, “Extended excitons and compact heliumlike biexcitons in type-II quantum dots”, Phys. Rev. B. 80, 205317 (2009). 102. K. Gradkowski, T. J. Ochalski, N. Pavarelli, H. Y. Liu, J. Tatebayashi, D. P. Williams, D. J. Mowbray, G. Huyet, and D. L. Huffaker, “Coulomb-induced emission dynamics and self-consistent calculations of type-II Sb-containing quantum dot systems”, Phys. Rev. B. 85, 035432 (2012). 103. P. Verma, G. Irmer and J. Monecke, “Laser power dependence of the photoluminescence from CdSxSe1-x nanoparticles in glass”, J. Phys. Condens. Matter. 12, 1097-1110 (2000). 104. J. M. Iannelli, I. Maserjian, B. R. Hancock, P. O. Andersson, and F. J. Grunthaner, Optically controlled absorption modulator based on state filling of InxGa1-xAs/GaAs quantum wells, Appl. Phys. Lett. 54, 301, (1989). 105. K. Gradkowski, N. Pavarelli, T. J. Ochalski, D. P. Williams, J. Tatebayashi, G. Huyet, E. P. Oreilly and D. L. Huffaker, “Complex emission dynamics of type-II GaSb/GaAs quantum dots”, Appl. Phys. Lett. 95, 061102 (2009). 106. H. Younghun, U. Youngho andd P. Hyoyeol, “Temperature and excitation power dependences of the photoluminescence in CdMnTe crystals”, J. Korean Phys. Society. 5, 1312-1315 (2011). 107. J. J. Li , Y. A. Wang , W. Guo , J. C. Keay , T. D. Mishima , M. B. Johnson , and X. Peng, “Large-Scale Synthesis of Nearly Monodisperse CdSe/CdS Core/Shell Nanocrystals Using Air-Stable Reagents via Successive Ion Layer Adsorption and Reaction”, J. Am. Chem. Soc.125, 12567 (2003). 108. D. V. Talapin , I. Mekis, S. Götzinger , A. Kornowski , O. Benson , and H. Weller, “CdSe/CdS/ZnS and CdSe/ZnSe/ZnS Core−Shell−Shell Nanocrystals”, J. Phys. Chem. B. 108, 18826-18831 (2004). 109. A. Piryatinski , S. A. Ivanov , S. Tretiak , and V. I. Klimov, “Effect of Quantum and Dielectric Confinement on the Exciton−Exciton Interaction Energy in Type II Core/Shell Semiconductor Nanocrystals”, Nano Lett. 7, 108−115 (2007). 110. X. Chen, L. Li, Y. Lai, J. Yan, Y. Tang and X. Wang, “Microwave-Assisted Synthesis of Glutathione-Capped CdTe/CdSe Near-Infrared Quantum Dots for Cell Imaging”, Int. J. Mol. Sci. 16, 11500-11508 (2015). 111. S. Kaniyankandy, S. Rawalekar, S. Verma, and H. N. Ghosh, “Ultrafast Hole Transfer in CdSe/ZnTe Type II Core−Shell Nanostructure”, J. Phys. Chem. C. 115, 1428–1435 (2011). 112. D. V. Talapin , A. L. Rogach , A. Kornowski , M. Haase , and H. Weller, “Highly Luminescent Monodisperse CdSe and CdSe/ZnS Nanocrystals Synthesized in a Hexadecylamine−Trioctylphosphine Oxide−Trioctylphospine Mixture”, Nano. Lett. 1, 207-211 (2001). 124 113. G. D. Scholes , M. Jones , and S. Kumar, “Energetics of Photoinduced Electron- Transfer Reactions Decided by Quantum Confinement”, J. Phys. Chem. C. 111, 13777-13785 (2007). 114. M. Shim, H. McDaniel, and N. Oh, “Prospects for Strained Type-II Nanorod Heterostructures”, J. Phys. Chem. Lett. 2, 2722–2727 (2011). 115. N. N. Hewa-Kasakarage, P. Z. El-Khoury, A. N. Tarnovsky, M. Kirsanova, I .Nemitz, A. Nemchinov and M. Zamkov, “Ultrafast Carrier Dynamics in Type II ZnSe/CdS/ZnSe Nanobarbells”, ACS Nano. 4, 1837-1844 (2010). 116. Y. Kobayashi, C. Chuang, C. Burda, and G. D. Scholes, “Exploring Ultrafast Electronic Processes of Quasi-Type II Nanocrystals by Two-Dimensional Electronic Spectroscopy”, J. Phys. Chem. C. 114, 18094-18104 (2011). 117. S. Rawalekar, S. Kaniyankandy, S. Verma, and H. N. Ghosh, “Effect of Surface States on Charge-Transfer Dynamics in Type II CdTe/ZnTe Core–Shell Quantum Dots: A Femtosecond Transient Absorption Study”, J. Phys. Chem. C. 115, 12335- 12342 (2011). 118. K. Boldt, C. Ramanan, A. Chanaewa, M. Werheid, and A. Eychmüller, “Controlling Charge Carrier Overlap in Type-II ZnSe/ZnS/CdS Core–Barrier– Shell Quantum Dots”, J. Phys. Chem. Lett. 6, 2590-2597 (2015). 119. A. Roy and A. K. Sood, “Surface and confined optical phonons in CdSxSe1- x nanoparticles in a glass matrix”, Phys. Rev. B. 53, 12127 (1996). 120. A. K. Arora, M. Rajalakshmi, T. R. Ravindran, “Phonon Confinement in Nanostructured Materials”, Encycl of Nanoscie and Nanotech. 8, 499-512 (2004). 121. A. Singha and A. Roy, “Phonon Confinement and Surface Phonon Modes in CdSe-CdS Core-shell Nanocrystals”, Rev. Adv.Mater.Sci. 10, 462-466 (2005). 122. L. Lu, X. L. Xu, W.T. Liang, H. F. Lu, “Raman analysis of CdSe/CdS core-shell quantum dots with different shell thickness”, J. Phys. Condens. Matter, 19, 406221-406230 (2007). 123. U. Soni, A. Pal, S. Singh, M. Mittal, S. Yadav, R. Elangovan, and S. Sapra, “Simultaneous Type-I/Type-II Emission from CdSe/CdS/ZnSe Nano- Heterostructures”, ACS Nano. 8, 113 (2014). 124. R. D. Robinson, B. Sadtler, D. O. Demchenko, C. K. Erdonmez, L. W. Wang, P. Alivisatos, “Spontaneous Superlattice Formation in Nanorods Through Partial Cation Exchange”, Science. 317, 355−358 (2007). 125. A. P. Alivisatos, “Perspectives on the Physical Chemistry of Semiconductor Nanocrystals”, J. Phys. Chem, 100, 13226-13239 (1996). 126. L. V. Asryan and S. Luryi, Tunneling-Injection Quantum-Dot Laser: Ultrahigh Temperature Stability”, IEEE J. of quantum electronics, 37, 905-910 (2001). 127.X. Michalet , F. Pinaud, T. D. Lacoste, M. Dahan, M. P. Bruchez, A. P. Alivisatos, S. Weiss, “Properties of Fluorescent Semiconductor Nanocrystals and their Application to Biological Labeling”, Single Mol. 2, 261-276 (2001). 125 128. L. P. Balet , S. A. Ivanov , A. Piryatinski , M. Achermann , and V. I. Klimov , Inverted Core/Shell Nanocrystals Continuously Tunable between Type-I and Type-II Localization Regimes, Nano Letters. 4, 1485–1488 (2004). 129. S. A. Ivanov , J. Nanda , A. Piryatinski , M. Achermann , L. P. Balet , I. V. Bezel , P. O. Anikeeva , S. Tretiak , and V. I. Klimov , Light Amplification Using Inverted Core/Shell Nanocrystals:  Towards Lasing in the Single-Exciton Regime, J. Phys. Chem. B. 108, 10625–10630 (2004). 130. Camacho J., Loa I., Cantarero A., Calderon I. H., “Temperature dependence of Raman scattering and luminescence of he disordered Zn0.5Cd0.5Se alloy”, Microlectronic Journal. 33, 349-353 (2002). 131. Q. Lu, Q. Zhuang and A. Krier, Gain and Threshold Current in Type II In(As)Sb Mid-Infrared Quantum Dot Lasers, Photonics. 2, 414 – 425 (2015). 132. S. Rawalekar, S. Kaniyankandy, S. Verma, and H. N. Ghosh, Ultrafast Charge Carrier Relaxation and Charge Transfer Dynamics of CdTe/CdS Core-Shell Quantum Dots as Studied by Femtosecond Transient Absorption Spectroscopy, J. Phys. Chem. C. 114, 1460–1466 (2010). 133. Y. Kobayashi, C. H. Chuang, C. Burda, and G. D. Scholes, Exploring Ultrafast Electronic Processes of Quasi-Type II Nanocrystals by Two-Dimensional Electronic Spectroscopy, J. Phys. Chem. C. 118 , 16255–16263 (2014). 134. V. M. Dzhagan, M. Y. Valakh, A. G. Milekhin, N. A. Yeryukov, D. R. T. Zahn, E. Cassette, T. Pons, and B. Dubertret, Raman- and IR-Active Phonons in CdSe/CdS Core/Shell Nanocrystals in the Presence of Interface Alloying and Strain, J. Phys. Chem. C. 117, 18225−18233 (2013). 135. S. Jin, J. Zhang, R. D. Schaller, T. Rajh, and G. P. Wiederrecht, Ultrafast Charge Separation from Highly Reductive ZnTe/CdSe Type II Quantum Dots, J. Phys. Chem. Lett. 3, 2052−2058 (2012). 136. H. Eshet, M. Grunwald, and E. Rabani, The Electronic Structure of CdSe/CdS Core/Shell Seeded Nanorods: Type-I or Quasi-Type-II?, Nano Lett. 13, 5880−5885 (2013). 137. F. G. Santamaria, S. Brovelli, R. Viswanatha, J. A. Hollingsworth, H. Htoon, S. A. Crooker, and V. I. Klimov, Breakdown of Volume Scaling in Auger Recombination in CdSe/CdS Heteronanocrystals: The Role of the Core-Shell Interface, Nano Lett. 11, 687–693 (2011). 138. E. Groeneveld and C. M. Donega, Enhanced Exciton−Phonon Coupling in Colloidal Type-II CdTe-CdSe Heteronanocrystals, J. Phys. Chem. C. 116, 16240−16250 (2012). 139. E. J. Tyrrell and S. Tomic, Effect of Correlation and Dielectric Confinement on Excitons in CdTe/CdSe and CdSe/CdTe Type-II Quantum Dots, J. Phys. Chem. C. 119, 12720–12730 (2015). 126 140. W. Sukkabot, Atomistic tight-binding computations in electronic structures and optical properties of type-II CdTe/CdSe core/shell nanocrystals, Com. Mater. Sci. 111, 23–27 (2016). 141. P. Reiss, M. Protiere, and L. Li, Core/Shell Semiconductor Nanocrystals, Small. 5, 154–168 (2009). 142. J. V. Embden, J. Jasieniak, D. E. Gómez, P. Mulvaney, and M. Giersig, Review of the Synthetic Chemistry Involved in the Production of Core/Shell Semiconductor Nanocrystals, Aust. J. Chem. 60, 457–471 (2007). 143. D. Nesheva, Z. Aneva, M. J. Scepanovic, Z. Levi, I. Iordanova and Z. V. Popovic, Crystal structure and spectral photosensitivity of thermally evaporated ZnxCd1-xSe thin films, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 415305-415311 (2011). 144. R. W. Meulenberg, T. Jennings, and G. F. Strouse, Compressive and tensile stress in colloidal CdSe semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B. 70, 235311(2004). 145.N. S. Yuksek and N. M. Gasanly, Temperature dependence of Raman-active mode frequencies and linewidths in TlGaSe2 layered crystals, Cryst. Res. Technol. 40, pp. 264 – 270 (2005). 146. K. Strzałkowski · J. Zakrzewski · M. Malinski, Determination of the Exciton Binding Energy Using Photothermal and Photoluminescence Spectroscopy, Int J Thermophys. 34, 691–700 (2013). 147. B. Liu, R. Chen, X. L. Xu, D. H. Li, Y. Y. Zhao, Z. X. Shen, Q. H. Xiong , and H. D. Sun, Exciton-Related Photoluminescence and Lasing in CdS Nanobelts, J. Phys. Chem. C. 115, 12826–12830 (2011). 148. X. X. Yang, Z. F. Zhou, Y. Wang, R. Jiang, W. T. Zheng, and Chang Q. Sun, Raman spectroscopy determination of the Debye temperature and atomic cohesive energy of CdS, CdSe , Bi2Se3, and Sb2Te3 nanostructures, J. Appl. Phys. 112, 083508 (2012). 149. Yoshihiko Kanemitsua) and Takehiko Nagai, Temperature dependence of free- exciton luminescence in cubic CdS films, Appl. Phys. Lett. 82, 388 (2003). 150. C. Mejia-Garcia, A. Escamilla-Esquivel, G. Contreras-Puente,M. Tufino- Velazquez, and M. L. Albor-Aguilera, Photoluminescence studies of CdS films grown by close-spaced vapor transport hot walls, J. Appl. Phys. 86, 3171 (1999). 151. V K Dixit, S Porwal, S D Singh, T K Sharma, Sandip Ghosh and S M Oak, A versatile phenomenological model for the S-shaped temperature dependence of photoluminescence energy for an accurate determination of the exciton localization energy in bulk and quantum well structures, J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 065103 (2014). 152. S. Dey, S. Chen, S. Thota, M. R. Shakil, S. L. Suib, and J. Zhao, Effect of Gradient Alloying on Photoluminescence Blinking of Single CdSxSe1-x Nanocrystals, J. Phys. Chem. C, Just Accepted Manuscript (2016).