Luận án Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều Monochalcogenide

Trong hơn một thập kỷ qua, vật liệu nano xếp lớp hai chiều đã trở thành đối tượng thu hút nhiều nhà khoa học vì các đặc tính điện tử, cơ học và hóa học vượt trội của chúng. Cùng xu hướng đó, chúng tôi nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp monochalcogenide nhóm III và cấu trúc Janus hai chiều được hình thành từ các vật liệu monochalcogenide nhóm III này. Các kết quả chính của luận án được tóm tắt như sau: - Các đơn lớp hai chiều monochalcogenide nhóm III MX (M = Ga, In; X =S, Se, Te) bền vững về mặt cơ học và động học. Ở trạng thái cân bằng, tất cả sáu đơn lớp MX đều là những bán dẫn có vùng cấm xiên với độ rộng vùng cấm nằm trong khoảng từ 1,25 eV (InTe) đến 2,38 eV (GaS). Sự phân tách các vùng năng lượng và sự thay đổi độ rộng vùng cấm do hiệu ứng SOC trong các đơn lớp MX là tương đối nhỏ. Bên cạnh đó, biến dạng đã làm thay đổi một cách đáng kể cấu trúc vùng năng lượng điện tử, nhất là độ rộng vùng cấm của các đơn lớp. Biến dạng nén đã gây ra sự chuyển pha từ bán dẫn có vùng cấm xiên thành bán dẫn có vùng cấm thẳng trong đơn lớp InSe.