Một số tính chất đặc biệt của Laser Diode công suất cao với cấu trúc mảng ở chế độ xung ngắn

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO 1.1. Khái niệm LASER DIODE công suất cao 1.2. Một số cấu trúc LASER DIODE công suất cao 1.2.1. LASER ma trận (MATRIX) 1.2.2. LASER buồng cộng hưởng rộng LOC 1.2.3. LASER DIODE dạng mảng (thanh) 1.3. Công nghệ chế tạo LASER DIODE dạng mảng 1.3.1. Xử lý cửa số tiếp xúc 1.3.2. Cấy ghép ION 1.3.3. Xử lý lớp cách điện 1.3.4. Xử lý cấu trúc MESA 1.3.5. Phủ kim loại 1.3.6. Tổ hợp LASER mảng công suất cao 1.3.7. Kỹ thuật phủ mặt gương 1.3.7.1. Nguyên tắc 1.3.7.2. Thụ động hóa mặt tách CHIP LASER 1.4. Các thông số đặc trưng chất lượng chùm tia 1.4.1. Thông số khuyeech đại hạt tải cảm ứng và chiết suất khúc xạ 1.4.2. Mật độ công suất bão hòa 1.4.3. Độ sáng, tỷ số STREHL và thông số 1.4.3.1. Độ sáng 1.4.3.2. Tỷ số STREHL 1.4.3.3. Thông số 1.5. Một số tính chất đặc biệt của LASER DIODEcông suất cao 1.5.1. Đặc trưng công suất phụ thuộc vào dòng bơm 1.5.2. Sự phụ thuộc dòng ngưỡng vào nhiệt độ 1.5.3. Sự uốn cong đường đặc trưng (P-I) do nhiệt 1.5.4. Hoạt động đa mốt 1.5.5. Sự phá hủy phẩm chất quang học 1.5.6. Tuổi thọ của LASER DIODE công suất cao CHƯƠNG 2: KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 2.1. Chế tạo nguồn phát xung ngắn, dòng cao để nuôi cho LASER DIODE công suất cao 2.2. Các chip LASER DIODE công suất cao sử dụng trong nghiên cứu 2.3. Đầu thu THU PHOTODIODE 2.4. Hệ thí nghiệm khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ lên đặc trưng công suất P-I của LASER DIODE công suất cao ở chế độ xung 2.5. Hệ thí nghiệm khảo sát sự uốn cong đặc trưng công suất gây ra do nhiệt 2.6. Hệ thí nghiệm đo P-I của LASER DIODE công suất cao sử dụng máy phát xung dòng cao, độ rộng xung ngắn CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN TÀI LIỆU THAM KHẢO