Để hoàn thành luận án này chúng tôi đã thực hiện một khối lượng công việc lớn tuy
nhiên có thể kết luận lại trong 4 điểm chính như sau:
1. Về mặt kỹ thuật tính toán: Việc triển khai các tính toán cấu trúc điện tử của
graphene theo cách mô tả liên kết chặt với cách chọn ô cơ sở có dạng hình chữ nhật
chứa bốn nguyên tử carbon (thay cho ô cơ sở tối giản hình thoi chứa hai nguyên tử
carbon) để cải thiện phương thức sampling các vector sóng trong vùng Brillouin.
Việc sampling vùng Brillouin hình chữ nhật rõ ràng là dễ triển khai về mặt phương
pháp số hơn là việc sampling vùng Brillouin hình lục giác trong cách biểu diễn tối
giản. Giải pháp được chúng tôi áp dụng không những cho phép dễ dàng loại bỏ
được các điểm kì dị trong các hàm số trong công thức tính toán độ dẫn quang và
hàm điện môi, mà còn dễ dàng cho phép mở rộng các tính toán cho graphene sang
các tính toán cho các cấu trúc siêu mạng graphene. Để có thể thu nhận được đúng
đắn quỹ tích các không điểm của hàm điện môi đòi hỏi phải sampling vùng
Brillouin rất mịn, dẫn đến khối lượng tính toán phải thực hiện rất lớn. Giải pháp
tính toán song song trên các hệ cluster đa lõi đã được chúng tôi sử dụng để tăng tốc
công việc tính toán. Sự đúng đắn của các tính toán số được kiểm chứng thông qua
các so sánh trực tiếp các kết quả tính toán như đường cong tán sắc của plasmon thu
được từ các tính toán giải tích.
2. Thực hiện một khảo sát hệ thống các hiệu ứng của các yếu tố nội tại như tính bất
đẳng hướng của mặt năng lượng và các yếu tố bên ngoài như nhiệt độ và pha tạp
lên sự hình thành và biểu hiện của phổ kích thích tập thể của điện tử trong mạng
graphene. Các kết quả đạt được phù hợp với những phát hiện đã được công bố bởi
các tác giả khác. Đặc biệt chỉ ra giới hạn của mô hình Dirac trong việc mô tả các
tính chất động lực học của graphene và phân tích rõ vai trò của các cơ chế chuyển
nội dải và ngoại dải tới sự hình thành plasmon.
154 trang |
Chia sẻ: tueminh09 | Ngày: 24/01/2022 | Lượt xem: 484 | Lượt tải: 0
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận án Các đặc trưng plasmon và tính chất động lực học của hệ điện tử trong graphene, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
a hai trạng thái này. Vì quá trình
chuyển giữa hai điểm K tương ứng với một vectơ sóng q có độ lớn tương đương với độ
lớn của các vectơ mạng đảo nên các hiệu ứng LFE phải được đưa vào. Việc áp dụng LFE
một cách tổng quát làm tăng mức độ phức tạp trong tính toán của bài toán vì phải đưa vào
các vectơ mạng đảo để đảm bảo tính không đồng đều của hệ thực. Khi đó ta phải làm việc
với một ma trận điện môi có kích thước lớn [124, 116, 117]. Tuy nhiên trong trường hợp ta
chỉ xét tác động của trường ngoài theo một phương nhất định, ở đây ta chọn phương 0, yqq , và vectơ K K q (xem Hình 4.1) thì ma trận điện môi được rút gọn lại có
kích thước 3 3 [152]
1 2
1 1 1 1 2
2 2 1 2 2
00 0 0
0
0
G G
G G G G G
G G G G G
. (4.63)
Trong đó, các vectơ mạng đảo được chọn như sau
1 2 1 2, 0, , 0, , G G = G G b b , (4.64)
107
với
1 1
cc
2 ,0
3a
G = b ; 2 2 cc
20,
3a
G = b . (4.65)
Các vectơ trong vùng BZ này được biểu diễn trên Hình 4.1.
q
1G
2G
K K
FE
q
b
Hình 4.1 (a) Vị trí hai điểm K và các vectơ mạng đảo. (b) Mô tả quá trình chuyển intra-inter-
valley
Độ lớn vectơ q thỏa mãn
1
cc
4 17.031nm
3 3a
q , (4.66)
và có thể viết dưới dạng
K K q q ; Fq k K K . (4.67)
Thế Coulomb 2D áp dụng cho graphene có dạng
2
02
ev G q q G . (4.68)
Đặt
Q G q , Q G q, (4.69)
ta có hệ số tích phân (3.35) có dạng
2 22 2 cc gg
2
cc44e e
Q aQ
aM Q
, (4.70)
108
trong đó thông số g được xác định theo gần đúng TB lân cận thứ hai có tính đến các hệ
số chồng chập orbital tương ứng với giá trị 0.08s như trong Chương 3. Các hàm điện
môi trong ma trận (4.63) được xác định như sau
v GG G GGGG P , (4.71)
với GGP xác định như (4.42) với các hàm chồng chập xác định từ (3.29), (3.30) và vG xác
định từ (4.68). Tổng theo k trong (4.42) lấy trong vùng BZ.
Hình 4.2 Hàm EELS ứng với một số giá trị của q (nm-1)
Phổ tán sắc plasmon xác định từ vị trí đỉnh của hàm phổ EELS (3.37) tính theo hàm
điện môi vĩ mô (4.52) hoặc tương đương với điều này là định thức của ma trận hàm điện
môi bằng không [152]:
det 0 GG . (4.72)
Phổ EELS của graphene ở mức pha tạp F 0.2eVE tương ứng với một số giá trị vectơ 0, yqq và có độ lớn gần bằng giá trị khoảng cách giữa hai điểm K được thể hiện trên
Hình 4.2. Từ hình vẽ ta có thể thấy có một mối quan hệ tuyến tính trong phổ tán sắc
plasmon p q , mối quan hệ này được thể hiện cụ thể trên Hình 4.3.
Chú ý rằng trong tính toán lý thuyết của Tudorovskiy và Mikhailov [152] chỉ xét đến
các giá trị pha tạp nhỏ của graphene, và vẫn áp dụng phép gần đúng hình nón tròn xoay
xung quanh các điểm K. Ở đây ta đã sử dụng phương pháp tính số và kết quả cho thấy sự
phù hợp với dự đoán của nhóm này.
109
Hình 4.3 Quan hệ tán sắc plasmon tuyến tính
4.3 Kết luận
Trong chương này ta đã trình bày về lý thuyết lượng tử về hàm điện môi có tính đến
hiệu ứng LFE. Lý thuyết này bổ sung cho phép gần đúng RPA trong các trường hợp: i) hệ
thực không còn tính chất tuần hoàn do tạp chất, sai hỏng, hay do biến dạng, ii) tác động
của trường ngoài có bước sóng ngắn so sánh được với hằng số mạng thực. Khi đó sự tập
trung thành đám của các electron trong ô mạng tinh thể do hiệu ứng màn chắn phải được
tính đến. Hàm điện môi RPA bây giờ trở thành một ma trận điện môi với các chỉ số là các
vectơ mạng đảo. Hàm điện môi vĩ mô M được tính bằng nghịch đảo của yếu tố ma trận
0,0 của ma trận nghịch đảo. Ta cũng xét trường hợp giới hạn để hàm điện môi vĩ mô có
tính đến LFE trở thành hàm điện môi RPA, chính là công thức Lindhard ta đã xét trong
Phần 1.4.
Việc áp dụng lý thuyết hàm điện môi có chứa LFE làm cho mức độ tính toán trở nên
phức tạp hơn vì ta phải đưa vào đủ lớn số lượng các vectơ mạng đảo. Tuy nhiên trong
trường hợp trường ngoài có một đặc trưng nào đó rõ ràng ta có thể rút gọn ma trận điện
môi sao cho khối lượng tính toán trở nên đơn giản hơn. Cụ thể trong bài toán chuyển trạng
thái giữa hai điểm K, ma trận điện môi có kích thước 3 3 . Ở mức pha tạp thấp, gần đúng
Dirac được áp dụng, các đặc trưng plasmon tương ứng với sự chuyển trạng thái này có thể
được tính bằng giải tích. Dựa trên những dự đoán đã có này, ta đã xây dựng một phương
pháp tính số để thu được các đặc trưng inter-valley-plasmon phù hợp với dự đoán trước đó.
Kết quả về phổ tán sắc plasmon tuyến tính này mới chỉ là các kết quả ban đầu trong việc
áp dụng lý thuyết hàm điện môi có chứa LFE. Mức pha tạp F 0.2eVE là nhỏ nhằm mục
đích kiểm tra lại dự đoán lý thuyết trước đó. Tuy nhiên việc tính số có thể thu được các kết
quả cho trường hợp pha tạp cao hơn, khi đó hiệu ứng bất đẳng hướng của mặt năng lượng
có ý nghĩa rõ ràng hơn và điều này được dự báo là sẽ thu được những kết quả mới hơn,
chính là những vấn đề được đặt ra trong việc nghiên cứu tiếp theo của đề tài.
110
Kết luận và kiến nghị
Để hoàn thành luận án này chúng tôi đã thực hiện một khối lượng công việc lớn tuy
nhiên có thể kết luận lại trong 4 điểm chính như sau:
1. Về mặt kỹ thuật tính toán: Việc triển khai các tính toán cấu trúc điện tử của
graphene theo cách mô tả liên kết chặt với cách chọn ô cơ sở có dạng hình chữ nhật
chứa bốn nguyên tử carbon (thay cho ô cơ sở tối giản hình thoi chứa hai nguyên tử
carbon) để cải thiện phương thức sampling các vector sóng trong vùng Brillouin.
Việc sampling vùng Brillouin hình chữ nhật rõ ràng là dễ triển khai về mặt phương
pháp số hơn là việc sampling vùng Brillouin hình lục giác trong cách biểu diễn tối
giản. Giải pháp được chúng tôi áp dụng không những cho phép dễ dàng loại bỏ
được các điểm kì dị trong các hàm số trong công thức tính toán độ dẫn quang và
hàm điện môi, mà còn dễ dàng cho phép mở rộng các tính toán cho graphene sang
các tính toán cho các cấu trúc siêu mạng graphene. Để có thể thu nhận được đúng
đắn quỹ tích các không điểm của hàm điện môi đòi hỏi phải sampling vùng
Brillouin rất mịn, dẫn đến khối lượng tính toán phải thực hiện rất lớn. Giải pháp
tính toán song song trên các hệ cluster đa lõi đã được chúng tôi sử dụng để tăng tốc
công việc tính toán. Sự đúng đắn của các tính toán số được kiểm chứng thông qua
các so sánh trực tiếp các kết quả tính toán như đường cong tán sắc của plasmon thu
được từ các tính toán giải tích.
2. Thực hiện một khảo sát hệ thống các hiệu ứng của các yếu tố nội tại như tính bất
đẳng hướng của mặt năng lượng và các yếu tố bên ngoài như nhiệt độ và pha tạp
lên sự hình thành và biểu hiện của phổ kích thích tập thể của điện tử trong mạng
graphene. Các kết quả đạt được phù hợp với những phát hiện đã được công bố bởi
các tác giả khác. Đặc biệt chỉ ra giới hạn của mô hình Dirac trong việc mô tả các
tính chất động lực học của graphene và phân tích rõ vai trò của các cơ chế chuyển
nội dải và ngoại dải tới sự hình thành plasmon.
3. Phát hiện ra sự chi phối của tính không tương đương giữa các trạng thái trong hai
thung lũng/nón Dirac tới sự hình thành và đặc trưng của các mode plasmon trong
graphene ở chế độ bước sóng dài. Theo đó, cùng với tính bất đẳng hướng rõ rệt của
mặt năng lượng Fermi trong chế độ pha tạp cao, sự không tương đương giữa các
trạng thái điện tử trong hai thung lũng Dirac trong vùng Brillouin sẽ được thể hiện
rõ ràng trong quá trình thay đổi trạng thái của electron. Mặc dù trong giới hạn
quang học, tính không tương đương này không được thể hiện trên các đại lượng vật
lý đo được, nhưng chúng tôi chỉ ra rằng tính chất này đóng vai trò điều kiện đủ cho
việc hình thành một mode plasmon đặc biệt xuất hiện bên cạnh mode plasmon của
hệ điện tử hai chiều. Sự xuất hiện của mode plasmon mới rất tinh tế và chưa được
quan sát thực nghiệm. Tuy nhiên, kết quả tính toán của chúng tôi được cũng cố bởi
một số các kết quả tính toán sử dụng cách tiếp cận nguyên lý đầu.
4. Mở rộng tính toán hàm số điện môi để tính đến hiệu ứng trường địa phương, chúng
tôi áp dụng để nghiên cứu đặc trưng plasmon của graphene trong chế độ bước sóng
ngắn. Các tính toán số của chúng tôi dường như thu nhận lại được bức tranh của
một mode plasmon tuyến tính đã được dự đoán lý thuyết trước đó, gọi là inter-
valley plasmon mode.
111
Tóm lại, trong quá trình thực hiện luận án này, ngoài việc quan tâm giải quyết các bài
toán vật lý đặt ra về việc khảo sát các tính chất động lực học của hệ electron bên trong
mạng tinh thể graphene chúng tôi đã phát triển các kỹ thuật tính toán, cả giải tích lẫn tính
số, một cách hiệu quả để thực thi các nhiệm vụ đề ra. Việc không sử dụng các công cụ tính
toán có sẵn như các package tính toán phiếm hàm mật độ mà tự phát triển các công cụ tính
toán đã cho chúng tôi những trải nghiệm sâu sắc về các phương pháp tính cũng như có cơ
hội phân tích hiểu rõ hơn bản chất vật lý của các kết quả tính toán (phát hiện ra hiệu ứng
của sự không tương đương giữa các trạng thái điện tử trong hai thung lũng Dirac là một
minh chứng cho nhận định này). Về các bài toán vật lý mà chúng tôi quan tâm giải quyết
trong luận án vẫn là những vấn đề đang được quan tâm của cộng đồng hiện nay do bản
chất vật lý cơ bản cũng như tính định hướng ứng dụng cho công nghệ. Các kết quả nghiên
cứu mà chúng tôi thu được và đã được công bố hy vọng sẽ đóng góp vào việc hình thành
nhận thức chung về vật lý của một loại vật liệu mới đầy triển vọng ứng dụng trong các lĩnh
vực công nghệ cao trong tương lai.
112
Tài liệu tham khảo
1. Abedinpour S H, Vignale G, Principi A, Polini M, Tse W K and MacDonald A H
(2011) Drude weight, plasmon dispersion, and ac conductivity in doped graphene
sheets. Phys. Rev. B 84, 045429
2. Abergel D S L, Apalkov V, Berashevich J, Ziegler K and Chakraborty T (2010)
Research Article: Properties of graphene: a theoretical perspective. Adv. Phys. 59,
261
3. Abramowitz M and Stegun I A (1972) Handbook of Mathematical Functions.
NewYork, Dover
4. Adler S L (1962) Quantum Theory of the Dielectric Constant in Real Solids. Phys.
Rev. 126, 2413
5. Alonso-González P, Nikitin A Y, Golmar F, Centeno A, Pesquera A, Vélez S, Chen J,
Navickaite G, Koppens F, Zurutuza A, Casanova F, Hueso L E, Hillenbrand R (2014)
Controlling graphene plasmons with resonant metal antennas and spatial conductivity
patterns. Science 344, 1369
6. Ando T, Fowler A B, and Stern F (1982) Electronic properties of two-dimensional
systerms. Rev. Mod. Phys. 54, 437
7. Ando T (2006) Screening Effect and Impurity Scattering in Monolayer Graphene. J.
Phys. Soc. Jpn. 75, 074716
8. Anh Le H, Chien Nguyen D, Nam Do V (2014) Anomalous confined electron states in
graphene superlattices. Appl. Phys. Lett. 105, 013512
9. Anh Le H, Ta Ho S, Chien Nguyen D and Nam Do V (2014) Optical properties of
graphene superlattices. J. Phys.: Condens. Matt. 26, 405304
10. Ashcroft N W and Mermin N D (1976) Solid State Physics. Harcourt, Inc.
11. Avouris P (2010) Graphene: Electronic and Photonic Properties and Devices. Nano
Lett. 10, 4285
12. Barbier M, Peeters F M, Vasilopoulos P, and Pereira J M (2008) Dirac and Klein-
Gordon particles in one-dimensional periodic potentials. Phys. Rev. B 77, 115446
13. Barbier M, Vasilopoulos P, and Peeters F M (2010) Extra Dirac points in the energy
spectrum for superlattices on single-layer graphene. Phys. Rev. B 81, 075438
14. Barlas Y, Pereg-Barnea T, Polini M, Asgari R, and MacDonald A H (2007) Chirality
and Correlations in Graphene. Phys. Rev. Lett. 98, 236601
15. Bao Q, Zhang H, Wang B, Ni Z, Lim C H Y X, Wang Y, Tang D Y and Loh K P
(2011) Broadband graphene polarizer. Nat. Photonics 5, 411
16. Barnes W L, Dereux A & Ebbesen T W (2003) Surface plasmon subwavelength optics.
Nature 424, 824
17. Bassani F, Liedl G L, Wyder P (2005) Encyclopedia of Condensed Matter Physics.
Elsevier, UK
113
18. Beenakker C W J (2008) Colloquium: Andreev reflection and Klein tunneling in
graphene. Rev. Mod. Phys. 80, 1337
19. Bena C (2009) Green’s functions and impurity scattering in graphene. Phys. Rev. B
79, 125427
20. Bena C, and Montambaux G (2009) Remarks on the tight-binding model of graphene.
New J. Phys. 11, 095003
21. Bludov Y V, Ferreira A, Peres N M R, and Vasilevskiy M I (2013) A Primer on
Surface Plasmon-Polaritons in Graphene. Int. J. Mod. Phys. B 27, 1341001
22. Bonitz M, Horing N, Ludwig P (2012) Introduction to Complex Plasmas. Springer-
Verlag Berlin Heidelberg
23. Brongersma M L, Kik P G (2007) Springer Series in Optical Sciences: Surface
Plasmon Nanophotonics. Springer, New York
24. Bruus H and Flensberg K (2002) Introduction to Many-body quantum theory in
condensed matter physics. Oxford, UK
25. Castro Neto A H, Guinea F, Peres N M R, Novoselov K S and Geim A K (2009) The
electronic properties of graphene. Rev. Mod. Phys. 81, 109
26. Castro Neto A H (2010) Review: The carbon new age. Mater. Today 13, 1
27. Chen C -F, Park C -H, Boudouris B W, Horng J, Geng B, Girit C, Zettl A, Crommie M
F, Segalman R A, Louie S G and Wang F (2011) Controlling inelastic light scattering
quantum pathways in graphene. Nature 471, 617
28. Chen J, Badioli M, Alonso-González P, Thongrattanasiri S, Huth F, Osmond J,
Spasenović M, Centeno A, Pesquera A, Godignon P, Elorza A Z, Camara N, García de
Abajo J F, Hillenbrand R & Koppens F H L (2012) Optical nano-imaging of gate-
tunable graphene plasmons. Nature 487, 77
29. Cohen M H and Phillips J C (1961) Dielectric Screening and Self-Consistent Crystal
Fields. Phys. Rev. 124, 1818
30. Cupolillo A, Ligato N, Caputi L S (2012) Two-dimensional character of the interface -
plasmon in epitaxial graphene on Ni(111). Carbon 50, 2588
31. Cupolillo A, Ligato N, Caputi L (2013) Low energy two-dimensional plasmon in
epitaxial graphene on Ni (111). Surf. Sci. 608, 88
32. Das Sarma S, Hwang E H, and Tse W-K (2007) Many-body interaction effects in
doped and undoped graphene:Fermi liquid versus non-Fermi liquid. Phys. Rev. B 75,
121406
33. Despoja V, Novko D, Dekanć K, Šunjić M, and Marušić L (2013) Two-dimensional
and plasmon spectra in pristine and doped graphene. Phys. Rev. B 87, 075447
34. Dietl P, Piéchon F, and Montambaux G (2008) New Magnetic Field Dependence of
Landau Levels in a Graphenelike Structure. Phys. Rev. Lett. 100, 236405
35. Do V N and Pham T H (2010) Graphene and its one-dimensional patterns: from basic
properties towards applications. Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 1, 033001
36. Dressel M, Grüner G (2002) Electrodynamics of Solids Optical Properties of Electrons
in Matter. Cambridge, New York
114
37. Dugaev V K, Katsnelson M I (2012) Graphene in periodic deformation fields:
Dielectric screening and plasmons. Phys. Rev. B 86, 115405
38. Eberlein T, Bangert U, Nair R R, Jones R, Gass M, Bleloch A L, Novoselov K S,
Geim A, and Briddon P R (2008) Plasmon spectroscopy of free-standing graphene
films. Phys. Rev. B 77, 223406
39. Efetov D K and Kim P (2010) Controlling Electron-Phonon Interactions in Graphene
at Ultrahigh Carrier Densities. Phys. Rev. Lett. 105, 256805
40. Ehrenreich H and Cohen M H (1959) Self – consistent Field Approach to the Many –
Electron Problem, Phys. Rev. 115, 786
41. Falk D S (1960) Effect of the Lattice on Dielectric Properties of an Electron Gas. Phys.
Rev. 118, 105
42. Falkovsky L A and Pershoguba S S (2007) Optical far-infrared properties of a
graphene monolayer and multilayer. Phys. Rev. B 76, 153410
43. Fang Z, Thongrattanasiri S, Schlather A, Liu Z, Ma L, Wang Y, Ajayan P M,
Nordlander P, Halas N J, and Garcia de Abajo F J (2013) Gated Tunability and
Hybridization of Localized Plasmons in Nanostructured Graphene. ACS Nano 7, 2388
44. Fei Z, Rodin A S, Andreev G O, Bao W, McLeod A S, Wagner M, Zhang L M, Zhao
Z, Thiemens M, Dominguez G, Fogler M M, Castro Neto A H, Lau C N, Keilmann F
& Basov D N (2012) Gate-tuning of graphene plasmons revealedby infrared nano-
imaging. Nature 487, 82–85
45. Fetter A L and Walecka J D (2003) Quantum Theory of Many-Particle Systems. Dover,
New York
46. Gan C H (2012) Analysis of surface plasmon excitation at terahertz frequencies with
highly-doped graphene sheets via attenuated total reflection. Appl. Phys. Lett. 101,
111609
47. Gangadharaiah S, Farid A M, and Mishchenko E G (2008) Charge Response Function
and a Novel Plasmon Mode in Graphene. Phys. Rev. Lett. 100, 166802
48. Gao Y, Yuan Z (2011) Anisotropic low-energy plasmon excitations in doped graphene:
An ab initio study. Solid State Commun. 151, 1009
49. García de Abajo F J (2010) Optical excitations in electron microscopy. Rev. Mod.
Phys. 82, 209
50. García de Abajo F J (2014) Graphene Plasmonics: Challenges and Opportunities. ACS
Photonic 1, 135
51. Gass M H, Bangert U, Bleloch A L, Wang P, Nair R R and Geim A K (2008) Free-
standing graphene at atomic resolution. Nat. Nanotechnol. 3, 676
52. Geim A K and Novoselov K S (2007) The rise of graphene. Nat. Mater. 6, 183
53. Giuliani A F and Vignale G (2005) Quantum Theory of the Electron Liquid. Cambridge
University Press, Cambridge, UK
54. González J, Guinea F, Vozmediano M A H (1999) Marginal-Fermi-liquid behavior
from two-dimensional Coulomb interaction. Phys. Rev. B 59, R2474
55. Greiner W (1991) Classical Electrodynamics. Springer, New York
115
56. Grigorenko A N, Polini M and Novoselov K S (2012) Graphene plasmonics. Nat.
Photonics 6, 749
57. Haldane F D M (1988) Model for a Quantum Hall Effect without Landau Levels:
Condensed-Matter Realization of the "Parity Anomaly". Phys. Rev. Lett. 61, 2015
58. Han Z and Bozhevolnyi S I (2013) Radiation guiding with surface plasmon polaritons.
Rep. Prog. Phys. 76, 016402
59. Hanket W and Sham L J (1974) Dielectric Response in the Wannier Representation:
Application to the Optical Spectrum of Diamond. Phys. Rev. Lett. 33, 582
60. Hanket W and Sham L J (1975) Local-field and excitonic effects in the optical
spectrum of a covalent crystal. Phys. Rev. B 12, 4501
61. Hanson G W (2008) Dyadic Green’s functions and guided surface waves for a surface
conductivity model of graphene. J. Appl. Phys. 103, 064302
62. Haug H, Koch S W (2004) Quantum Theory of the Optical and Electronic Properties
of Semiconductors. World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore
63. Hill A, Mikhailov S A and Ziegler K (2009) Dielectric function and plasmons in
graphene, Europhys. Lett., 87, 27005
64. Ho J H, Chiu Y H, Tsai S J, and Lin M F (2009) Semimetallic graphene in a modulated
electric potential. Phys. Rev. B 79, 115427
65. Hwang E H and Das Sarma S (2007) Dielectric function, screening, and plasmons in
two-dimensional graphene. Phys. Rev. B 75, 205418
66. Hwang E H and Das Sarma S (2009) Plasmon modes of spatially separated double-
layer graphene. Phys. Rev. B 80, 205405
67. Hwang E H, Sensarma R, and Das Sarma S (2010) Plasmon-phonon coupling in
graphene. Phys. Rev. B 82, 195406
68. Jablan M, Buljan H, and Soljačić M (2009) Plasmonics in graphene at infrared
frequencies. Phys. Rev. B 80, 245435
69. Jang C, Adam S, Chen J. -H, Williams E D, Das Sarma S, and Fuhrer M S (2008)
Tuning the Effective Fine Structure Constant in Graphene: Opposing Effects of
Dielectric Screening on Short- and Long-Range Potential Scattering. Phys. Rev. Lett.
101, 146805
70. Ju L, Geng B, Horng J, Girit C, Martin M, Hao Z, Bechtel H A, Liang X, Zettl A, Shen
Y R and Wang F (2011) Graphene plasmonics for tunable terahertz metamaterials.
Nat. Nanotechnol. 6, 630
71. Juan F, Hwang E H, and Vozmediano M A H (2010) Spectral and optical properties of
doped graphene with charged impurities in the self-consistent Born approximation.
Phys. Rev. B 82, 245418
72. Kadi F and Malic E (2014) Optical properties of Bernal-stacked bilayer graphene: A
theoretical study. Phys. Rev. B 89, 045419
73. Kadirko V, Ziegler K, Kogan E (2013) Next-Nearest-Neighbor Tight-Binding Model of
Plasmons in Graphene. Graphene 2, 97
74. Katsnelson M I (2012) Graphene: Carbon in Two Dimensions. Cambridge University
Press, New York
116
75. Kinyanjui M K, Kramberger C, Pichler T, J. C. Meyer J C, Wachsmuth P, Benner G
and Kaiser U (2012) Direct probe of linearly dispersing 2D interband plasmons in a
free-standing graphene monolayer. Europhys. Lett. 97, 57005
76. Kittel C (1996) Introduction to Solid State Physics, seventh edition. John Wiley &
Sons, New York
77. Koester S J, and Li M (2013) Waveguide-Coupled Graphene Optoelectronics. IEEE J.
Sel. Top. Quant. 20
78. Koppens F H L, Chang D E, and Javier García de Abajo F (2011) Graphene
plasmonics: A platform for strong light-matter interaction. Nano Lett. 11, 3370
79. Kotov V N, Uchoa B, and Castro Neto A H (2008) Electron-electron interactions in
the vacuum polarization of graphene. Phys. Rev. B 78, 035119
80. Kotov V N, Uchoa B, and Castro Neto A H (2009) 1/N expansion in correlated
graphene. Phys. Rev. B 80, 165424
81. Kotov V N, Uchoa B, Pereira V M, Guinea F, and Castro Neto A H (2012) Electron-
Electron Interactions in Graphene: Current Status and Perspectives. Rev. Mod. Phys.
84, 1067
82. Kramberger C, Hambach R, Giorgetti C, Rümmeli M H, Knupfer M, Fink J, Büchner
B, Reining L, Einarsson E, Maruyama S, Sottile F, Hannewald K, Olevano V,
Marinopoulos A G, and Pichler T (2008) Linear Plasmon Dispersion in Single-Wall
Carbon Nanotubes and the Collective Excitation Spectrum of Graphene. Phys. Rev.
Lett. 100, 196803
83. Kuzmenko A B, van Heumen E, Carbone F and van der D (2008) Universal Optical
Conductance of Graphite Phys. Rev. Lett. 100, 117401
84. Langer T, Baringhaus J, Pfnür H, Schumacher H W and Tegenkamp C (2010) Plasmon
damping below the Landau regime: the role of defects in epitaxial graphene. New J.
Phys. 12, 033017
85. Langer T, Förster D F, Busse C, Michely T, Pfnür H and Tegenkamp C (2011) Sheet
plasmons in modulated graphene on Ir(111). New J. Phys. 13, 053006
86. Laitenberger P and Palmer R E (1996) Plasmon Dispersion and Damping at the
Surface of a Semimetal. Phys. Rev. Lett. 76, 1952
87. Li H, Anugrah Y, Koester S J, and Li M (2012) Optical absorption in graphene
integrated on silicon waveguides. Appl. Phys. Lett. 101, 111110
88. Li Z Q, Henriksen E A, Jiang Z, Hao Z, Martin M C, Kim P, Stormer H L, and Basov
D N (2008) Dirac charge dynamics in graphene by infrared spectroscopy. Nat. Phys.
4, 532
89. Lin M F and Shyu F L (2000) Temperature-Induced Plasmons in a Graphite Sheet. J.
Phys. Soc. Jpn. 69, 607
90. Liou S C, Shie C -S, Chen C H, Breitwieser R, Pai W W, Guo G Y, and Chu M -W
(2015) -plasmon dispersion in free-standing graphene by momentum-resolved
electron energy-loss spectroscopy. Phys. Rev. B 91, 045418
91. Liu M, Yin X, Ulin-Avila E, Geng B, Zentgraf T, Ju L, Wang F and Zhang X (2011) A
graphene-based broadband optical modulator. Nature 474, 64
117
92. Liu Y and Willis R F (2008) Plasmon dispersion and damping in electrically isolated
two-dimensional charge sheets. Phys. Rev. B 78, 201403(R)
93. Lourtioz J -M, Benisty H, Berger V, Gerard J -M, Maystre D, Tchelnokov A (2005)
Photonic Crystals Towards Nanoscale Photonic Devices, Translated by Pierre-Noel
Favennec. Springer-Verlag Berlin Heidelberg
94. Luo X, Qiu T, Lu W, Ni Z (2013) Plasmons in graphene: Recent progress and
applications. Mat. Sci. Eng. R. 74, 351
95. Mochán W L and Barrera R G (1985) Electromagnetic response of systems with spatial
fluctuations. I. General formalism. Phys. Rev. B 32, 4984
96. Mahan G D (2000) Many-Particle Physics. Plenum, New York
97. Maier S A (2007) Plasmonics: Fundamentals and applications. Springer, New York
98. Malic E, Winzer T, Bobkin E, and Knorr A (2011) Microscopic theory of absorption
and ultrafast many-particle kinetics in graphene. Phys. Rev. B 84, 205406
99. Marinopoulos A G, Reining L, Rubio A, and Olevano V (2004) Ab initio study of the
optical absorption and wave-vector-dependent dielectric response of graphite. Phys.
Rev. B 69, 245419
100. Martin P C and Schwinger J (1959) Theory of Many-Particle Systems. I. Phys. Rev.
115, 1342
101. Messina R, Hugonin J -P, Greffet J -J, Marquier F, Wilde Y D, Belarouci A, Frechette
L, Cordier Y, and Ben-Abdallah P (2013) Tuning the electromagnetic local density of
states in graphene-covered systems via strong coupling with graphene plasmons. Phys.
Rev. B 87, 085421
102. Mikhailov S (2011) Physics and Applications of Graphene – Theory. Published by
InTech, Janeza Trdine 9, 51000 Rijeka, Croatia
103. Mikhailov S A and Ziegler K (2008) A new electromagnetic mode in graphene. Phys.
Rev. Lett. 99, 016803
104. Morozov S V, Novoselov K S, Katsnelson M I, Schedin F, Elias D C, Jaszczak J A,
and Geim A K (2008) Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer.
Phys. Rev. Lett. 100, 016602
105. Morpurgo A F, Guinea F (2006) Intervalley Scattering, Long-Range Disorder, and
Effective Time-Reversal Symmetry Breaking in Graphene. Phys. Rev. Lett. 97, 196804
106. Nair R R, Blake P, Grigorenko A N, Novoselov K S, Booth T J, Stauber T, Peres N M
R, Geim A K (2008) Fine Structure Constant Defines Visual Transparency of
Graphene. Science 320, 1308
107. Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grigorieva
I V, Firsov A A (2004) Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films. Science
306, 666
108. Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Katsnelson M I, Grigorieva I V,
Dubonos S V, and Firsov A A (2005) Two-dimensional gas of massless Dirac fermions
in graphene. Nature 438, 197
109. Novoselov K S (2011) Nobel Lecture: Graphene: Materials in the Flatland. Rev. Mod.
Phys. 83, 837
118
110. Onida G, Reining L, Rubio A (2002) Electronic excitations: density-functional versus
many-body Green’s-function approaches. Rev. Mod. Phys. 74, 601
111. Ostrikov K, Cvelbar U and Murphy A B (2011) Plasma nanoscience: setting
directions, tackling grand challenges. J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 174001
112. Otto A (1968) Excitation of Nonradiative Surface Plasma Waves in Silver by the
Method of Frustrated Total Reflection. Z. Phys. 216, 398
113. Patterson J, Bailey B (2010) Solid-State Physics, Introduction to the Theory, second
edition. Springer, Verlag Berlin Heidelberg
114. Park C -H, Yang L, Son Y -W, Cohen M L, and Louie S G (2008) Anisotropic
behaviours of massless Dirac fermions in graphene under periodic potentials. Nat.
phys. 4, 213
115. Park C -H, Son Y -W, Yang L, Cohen M L, and Louie S G (2009) Landau Levels and
Quantum Hall Effect in Graphene Superlattices. Phys. Rev. Lett. 103, 046808
116. Pellegrino F M D, Angilella G G N, and Pucci R (2009) Effect of impurities in high-
symmetry lattice positions on the local density of states and conductivity of graphene.
Phys. Rev. B 80, 094203
117. Pellegrino F M D, Angilella G G N, and Pucci R (2010) Strain effect on the optical
conductivity of graphene. Phys. Rev. B 81, 035411
118. Pellegrino F M D, Angilella G G N, and Pucci R (2010) Dynamical polarization of
graphene under strain. Phys. Rev. B 82, 115434
119. Peres N M R, Guinea F and Castro Neto A H (2006) Electronic properties of
disordered two-dimensional carbon. Phys. Rev. B 73, 125411
120. Peres N M R (2010) Colloquium: The transport properties of graphene: An
introduction. Rev. Mod. Phys. 82, 2673
121. Pines D (1956) Collective Energy Losses in Solids. Rev. Mod. Phys. 28, 184
122. Pines D (1963) Elementary Excitations in Solids. W. A. Benjamin, New York
123. Pines D (1999) Elementary Excitations in Solids. Perseus Books Publishing, L.L.C.,
Printed in the USA
124. Pisarra M, Sindona A, Riccardi P, Silkin V M and Pitarke J M (2014) Acoustic
plasmons in extrinsic free-standing graphene. New J. Phys. 16, 083003
125. Pitarke J M, Silkin V M, Chulkov E V, and Echenique P M (2007) Theory of surface
plasmons and surface-plasmon polaritons. Rep. Prog. Phys. 70, 1
126. Polini M, Asgari R, Borghi G, Barlas Y, Pereg-Barnea T, and MacDonald A H (2008)
Plasmons and the spectral function of graphene. Phys. Rev. B 77, 081411(R)
127. Politano A, Marino A R, Formoso V, Farías D, Miranda R, and Chiarello G (2011)
Evidence for acoustic-like plasmons on epitaxial graphene on Pt(111). Phys. Rev. B
84, 033401
128. Ponomarenko L A, Yang R, Mohiuddin T M, Katsnelson M I, Novoselov K S,
Morozov S V, Zhukov A A, Schedin F, Hill E W, and Geim A K (2009) Effect of a
High Environment on Charge Carrier Mobility in Graphene. Phys. Rev. Lett. 102,
206603
119
129. Principi A, Polini M, and Vignale G (2009) Linear response of doped graphene sheets
to vector potentials. Phys. Rev. B 80, 075418
130. Principi A, Asgari R, Polini M (2011) Acoustic plasmons and composite hole-acoustic
plasmon satellite bands in graphene on a metal gate. Solid State Commun. 151, 1627
131. Raether H (1988) Surface Plasmons on Smooth and Rough Surfaces and on Gratings.
Springer, Berlin
132. Ramezanali M R, Vazifeh M M, Asgari R, Polini M and MacDonald A H (2009)
Finite-temperature Screening and the Specific Heat of Doped Graphene Sheets. J.
Phys. A Math. Theor. 42, 214015
133. Reich S, Maultzsch J, and Thomsen C (2002) Tight-binding description of graphene.
Phys. Rev. B 66, 035412
134. Roldán R, López-Sancho M P, and Guinea F (2008) Effect of electron-electron
interaction on the Fermi surface topology of doped graphene. Phys. Rev. B 77, 115410
135. Rycerz A, Tworzydło J and Beenakker C W J (2007) Valley filter and valley valve in
graphene. Nat. Phys. 3, 172
136. Sabio J, Nilsson J, and Castro Neto A H (2008) f-sum rule and unconventional spectral
weight transfer in graphene. Phys. Rev. B 78, 075410
137. Saito R, Dresselhaus G, and Dresselhaus M S (1998) Physical Properties of Carbon
Nanotubes. Imperial College, London
138. Sandu T (2005) Optical matrix elements in tight-binding models with overlap. Phys.
Rev. B 72, 125105
139. Schülke W, Bonse U, Nagasawa H, Kaprolat A, and Berthold A (1988) Interband
transitions and core excitation in highly oriented pyrolytic graphite studied by inelastic
synchrotron x-ray scattering: Band-structure information. Phys. Rev. B 38, 2112
140. Sensale-Rodriguez B (2013) Graphene-insulator-graphene active plasmonic terahertz
devices. Appl. Phys. Lett. 103, 123109
141. Shin S Y, Kim N D, Kim J G, Kim K S, Noh D Y, Kim Kwang S, and Chung J W
(2011) Control of the plasmon in a single layer graphene by charge doping. Appl.
Phys. Lett. 99, 082110
142. Shung K W -K (1986) Dielectric function and plasmon structure of stage-1
intercalated graphite. Phys. Rev. B 34, 979
143. Sreekanth K V and Yu T (2013) Long range surface plasmons in a symmetric graphene
system with anisotropic dielectrics. J. Opt. 15, 055002
144. Stauber T, Peres N M R, and Geim A K (2008) Optical conductivity of graphene in the
visible region of the spectrum. Phys. Rev. B 78, 085432
145. Stauber T, Schliemann J, and Peres N M R (2010) Dynamical polarizability of
graphene beyond the Dirac cone approximation. Phys. Rev. B 81, 085409
146. Stauber T and Gómez-Santos G (2012) Plasmons in layered structures including
graphene. New J. Phys. 14, 105018
147. Stauber T (2014) Topical Review: Plasmonics in Dirac systems: from graphene to
topological insulators. J. Phys.: Condens. Matt. 26, 123201 (24pp)
120
148. Strait J H, Nene P, Chan W -M, Manolatou C, Tiwari S, and Rana F, Kevek J -W and
McEuen P L (2013) Confined plasmons in graphene microstructures: Experiments and
theory. Phys. Rev. B 87, 241410
149. Svintsov D, Vyurkov V, Ryzhii V, and Otsuji T (2013) Voltage-controlled surface
plasmon-polaritons in double graphene layer structures. J. Appl. Phys. 113, 053701
150. Taft E A and Phillip H R (1965) Optical Properties of Graphite. Phys. Rev. 138, A197
151. Tegenkamp C, Pfnür H, Langer T, Baringhaus J and Schumacher H W (2011) Fast
track communication: Plasmon electron–hole resonance in epitaxial graphene. J.
Phys.: Condens. Matt. 23, 012001
152. Tudorovskiy T and Mikhailov S A (2010) Intervalley plasmons in graphene. Phys.
Rev. B 82, 073411
153. Uchoa B, Reed J P, Gan Y, Joe Y I, Fradkin E, Abbamonte P and Casa D (2012) The
electron many-body problem in graphene. Phys. Scr. T146, 014014
154. Vafek O (2006) Thermoplasma Polariton within Scaling Theory of Single-Layer
Graphene. Phys. Rev. Lett. 97, 266406
155. Wallace P R (1947) The Band Theory of Graphite. Phys. Rev. 71, 622
156. Wang F, Zhang Y, Tian C, Girit C, Zettl A, Crommie M, Shen Y R (2008) Gate-
Variable Optical Transitions in Graphene. Science 320, 206
157. Wang X -F and Chakraborty T (2007) Collective excitations of Dirac electrons in a
graphene layer with spin-orbit interactions. Phys. Rev. B 75, 033408
158. Wiser N (1963) Dielectric Constant with Local Field Effects Included. Phys. Rev. 129,
62
159. Wooten F (1972) Optical Properties of Solids. Academic, New York
160. Wunsch B, Stauber T, Sols F and Guinea F (2006) Dynamical polarization of graphene
at finite doping. New J. Phys. 8, 318
161. Yan H, Li X, Chandra B, Tulevski G, Wu Y, Freitag M, Zhu W, Avouris P and Xia F
(2012) Tunable infrared plasmonic devices using graphene/insulator stacks. Nat.
Nanotechnol. 7, 330
162. Yan H, Low T, Zhu W, Wu Y, Freitag M, Li X, Guinea F, Avouris P and Xia F (2013)
Damping pathways of mid-infrared plasmons in graphene nanostructures. Nat.
Photonics. 7, 394
163. Zagoskin A M (1998) Quantum Theory of Many – Body Systems: Techniques and
applications. Springer - Verlag New York
164. Zener C (1930) Analytic Atomic Wave Functions. Phys. Rev. 36, 51
165. Ziegler K (2006) Robust Transport Properties in Graphene. Phys. Rev. Lett. 97,
266802
166. Ziman J M (1972) Principles of the Theory of Solids. Cambridge University Press
121
Danh mục các công trình đã công bố của luận án
Nội dung chính của luận án đã được công bố trong các bài báo đăng trên tạp chí quốc tế:
1. Ta Ho S, Anh Le H, Le T, Chien Nguyen D, Nam Do V (2014) Effects of
temperature, doping and anisotropy of energy surfaces on behaviors of plasmons
in graphene. Physica E 58, 101–105.
2. Ta Ho S, Anh Le H, Le T and Nam Do V (2016) Inequivalent effect of Dirac valleys on
low-energy plasmons in heavily doped graphene. Phys. Status Solidi B 253:6, 1186 –
1194.
Các kết quả chính của luận án cũng đã được trình bày trong các báo cáo tại hội nghị
chuyên ngành:
- Hội nghị Vật lý lý thuyết toàn quốc lần thứ 38, từ ngày 29/7/2013 - 1/8/2013 tại
thành phố Đà Nẵng.
- Hội thảo quốc tế lần thứ nhất về Vật lý lý thuyết và Vật lý tính toán: Vật lý các chất
cô đặc, các chất mềm và vật liệu, từ ngày 29/7/2013 - 1/8/2013 tại thành phố Đà
Nẵng (1st International Workshop on Theoretical and Computational Physics
(IWTCP-1): Condensed Matter, Soft Matter and Materials Physics).
122
Phụ lục
123
A. Biến đổi Fourier của thế Coulomb 2D
Thế Coulomb tương tác electron – electron:
2
04
eV
rr , (A1)
với là hằng số điện môi của môi trường, 0 là hằng số điện, 120 8,86 10 F/m trong
hệ SI, 191,6022 10 Ce . Với q là vector sóng, ta có khai triển Fourier
ieV V qr
q
r q . (A2)
Phép biến đổi Fourier ngược lại (trong không gian hai chiều):
2 i2d e rV VL qrq r . (A3)
Thay (A1) vào (A3) ta có
2 2 i2
0
1d e
4
eV r
L r
qrq .
trong đó 2L là diện tích của hệ. Chuyển sang tích phân theo tọa độ cực
2
2
0 0
d d dr r r
.
ta có
22 i cos2
0 0 0
d d e
4
qreV r
L
q .
Sử dụng tính chất khai triển Fourier của hàm delta Dirac i x1 e d
2
kx k
, thì
i cos
0
d e cosqrr q
, vậy
22 2
0 0
d cos
4
eV q
L
q . (A4)
Hơn nữa vì tính chất của hàm delta Dirac, ta có 1cos cos cosq q
q
, và
tính chất của hàm delta Dirac của hàm hợp 1
k
s
s s
x x
x
x
, trong đó sx là các
124
nghiệm đơn của phương trình 0x với 0sx . Xét phương trình cos =0 trong
đoạn 0,2 ta có hai nghiệm 1 2
và 2 32
. Suy ra
3
32 2cos
1 1 2 2
.
Thay vào (A4) ta có
22 2
0 0
3d
4 2 2
eV
qL
q ,
lại dùng tính chất
0 00
0 0
:
d
0 : ,
b
a
f x a x b
f x x x x
x a x b
suy ra:
2 2
02
eV
qLq . (A5)
Đây chính là biểu thức thế Coulomb 2D trong không gian động lượng.
125
B. Tính hàm chồng chập trạng thái (2.5)
Xét hàm riêng của graphene dạng
i112s se
kk , (B1)
trạng thái chồng chập với nó có dạng
' i112 's s e
k q
k q . (B2)
Số hạng chồng chập có dạng
2' ',ss s sF k q k k q . (B3)
Thay (B1) và (B2) vào (B3), biến đổi ta có
' 1, 1 'cos
2
ssF ss k q , với là góc giữa k và k q , k q k .
q
k qk
y
x
yk
xk
k q
Với góc k thỏa mãn arctan y xk k k . Từ hình vẽ ta thấy
2
2
cos cos cos cos sin sin
2 cos
cos .
y y y x x y yx x x k k q k k q k qk k q
k k k
k kq
k
k q
+ + +k k q k k q k k q
k q k q k q
k q
k q
(B4)
126
C. Tính tích phân (2.20)
Trong các phép tính toán, để đơn giản ta qui định 0 ; 1Fv ; 1 ; thì Fk . Khi
, ta có
2
0
1 cos1
2
k qI k d k
k qk q . (C1)
Xét phương trình 0k k q , hay
k k q . (C2)
Ta có điều kiện 0 k k q , suy ra
0
0
k
q
(C3)
Ta có 2 2 2 cosk q kq k k q , suy ra
2 2
0
2cos =
2
q k
kq
. (C4)
Kết hợp thêm điều kiện 01 cos 1 , suy ra
2 0
2 0
q q k
q q k
(C5)
Tổng hợp các điều kiện trên:
, , , 0
0
0
2 0
2 0
k q
k
q
q q k
q q k
(C6)
Giải (C6):
0
2
q
qk
(C7)
Thay (C2) và (C4) vào (C1) ta có
127
2 2
0 2cos1
2
k qk q
k k
k q . (C8)
Dùng công thức tính chất của hàm delta-Dirac: '
n
n n
x x
y x
y x
, với
, ' 0n ny x y x , ta có
2 2 2 cosk k k q kq k q ,
đặt 2 2 2 cosy k k q kq , xét phương trình 0y , tương đương với
2 2
0
2cos =
2
q k
kq
. Trong khoảng 0,2 có hai nghiệm 0 . Ta có
0 00 2 2
2 sin 2 sin'
22 2 cos
kq kqy
kk q kq
. (C9)
Với 20 0sin 1 cos xác định từ (C4)
22 2 2
0
2
sin
2
q k q
kq
. (C10)
Thay (C10) vào (C9):
22 2 2
0
2
'
2
q k q
y
k
.
(C11)
Vậy
0 0
0 0
2
' '
k
y y
k q . (C12)
Xét (C1), dùng (C7), (C8), (C11) và (C12):
2 22
0
22 2 20
2 cos cos1
2 2 2
2
k q
I k d
k k q k q
k
Suy ra
1/22 2
2 2
2
2
k q qI q k
q
. (C13)
Tương tự cho trường hợp , ta có
128
2
0
1 cos1
2
k qI k d k
k qk q , (C14)
điều kiện của bài toán là
0
0
2 2
q
q qk
(C15)
Suy ra
1/22 2
2 2
2
.
2 2
k q
I q
q
q qk k
(C16)
129
D. Tính phần thực và phần ảo của hàm phân cực không
pha tạp (2.23)
Ta có
1/22 22
1
0 2 2
2
1/222
22 2
2
2
Im ,
4
2
1
4
q
q
q
q
k qgP dk
q
kg q dk
qq
q
(D1)
Đổi biến số 2k
q
, suy ra: 2 ; ; 1 1
2
qd dk dk d
q
. Thay vào (D1) ta có
1 1/21 20 2 2
1
Im , 1
8
g qP d
q
q . (D2)
Chú ý dạng tích phân
1 1
1/2 1/22 2
1 0
1 2 1
2
d d
. Ta có kết quả
210 2 2Im , 16
g qP q
q
q . (D3)
Để tính phần thực của hàm phân cực, ta dùng mối liên hệ Kramers–Kronig
11 00 Im , '1Re , ' '
P
P d
q
q P . (D4)
Thay (D3) vào (D4), thu được
2
2 2
1
0
2
2 2
'
16 '1Re , '
'
1 .
16
g q q
q
P d
gq d q
q
q P
P
Xét hàm số 2 2
1F q
q
, có điểm cực đơn trên trục thực , áp
dụng lý thuyết thặng dư, ta có giá trị chính Cauchy của tích phân là
130
1 1
2 2
2 2 2 2 2 2
Res ,
1lim
1 1 1lim .
m
F d i F Z
i q
q
i q i
q q q
P
Do đó
210 2 2Re , 16
gqP q
q
q . (D5)
131
E. Một số tính chất của hàm G trong (2.31) [3]
2 21 ln 1G x x x x x
1
i i 1
G x x
G x
G x G x x
Trong đó
2 11 cosh , 1G x x x x x
2 11 cos , 1G x x x x x
1 21 cosh ln 1x x x x
2 1 21 cos iln i 1x x x x
1 1cos cosx x
132
F. Tính phần ảo của hàm phân cực RPA
Vùng 1A: Vùng này ta có điều kiện q và
2F
qk :
1
0
1/2 1/22 22 2
2 2 2 2
2 2
1/2 1/22 2
2 22 2 2 2
2 2
Im , , ,
4
2 2
4 4
2 2
1 1
4 4
F
F F
F F
k
k k
q q
k k
q q
gP dkI k q
k q k qg gdk dk
q q
k kg q g qdk dk
q qq q
q
Đặt 2 2 2 2; ;k ku v du dk dv dk
q q q q
và các cận tích phân tương ứng:
2 21 ; 1F Fk ku v
q q
, thu được
2 2
2 21/2 1/21 2 2
2 2 2 2
1 1
Im , 1 1
8 8
F Fk k
q qg q g qP du u dv v
q q
q (F1)
Xét nguyên hàm dạng 2 2 21 1 11 1 ln 12 2 2x dx x x x x G x . Ta có
21
2 2
2 2Im ,
16
g qP G G
q qq
q (F2)
Vùng 1B: Trong vùng này ta có q và
2F
qk
1/22 2 122 1/21 2
2 2 2 2
1
2
2
2 2
2
Im , 1
4 8
.
16
q
q
k qg g qP dk du u
q q
g q
q
q
(F3)
Vùng 2A:
133
1/22 2
1
2 2
2 2
2
2 1/22
2 2
1
2
Im , , ,
4 4
21 .
8
F F
F
k k
q q
k
q
k qg gP dkI k q dk
q
g q dv v G
qq
q
(F4)
Vùng 2B:
1/22 2
1
2 2
2 2
2
2 1/22
2 2
1
2
Im , , ,
4 4
21 .
8
F F
F
k k
q q
k
q
k qg gP dkI k q dk
q
g q dv v G
qq
q
(F5)
Vùng 3A:
1
0
Im , , , 0
4
FkgP dkI k q q . (F6)
Vùng 3B:
1
0
Im , , , 0
4
FkgP dkI k q q . (F7)
Tổng hợp các kết quả trên ta được kết quả (2.32).
134
G. Tính phần thực của hàm phân cực RPA
Ta có
2
1
2
0 0
Re ,
4
g F FP kdk
k k
q k q k qP (G1)
Chú ý là: 1F F ; cosk qF F k q , suy ra:
2
0 0
2
22
0 0
2 2
22
0 0
2 cos
1 4 2 2 cos
2
F Fkdk
k k
k qkdk d
k
k k kqdk d
k
k q k q
k q
k q
Xét mẫu số
22 2 2 2 2
2 2
2 2 2
2 2 cos
2 2 cos
2 2 4 2 cos .
k k k k q kq
q k kq
k q k k kq
k q
Tử số:
22 22 24 2 2 cos 2k k kq k q k k q ,
suy ra
1
2 22
22 2 2
0 0
2
0
Re ,
2
1
8 2 2 4 2 cos
, ,
2 8
P
k qg dk d
k q k k kq
g g dkJ k q
q
P
(G2)
Trong đó
135
2 22
2 2 2
0
2
2 2
2 2 2
0
2
, ,
2 2 4 2 cos
12
2 2 4 2 cos
k q
J k q d
k q k k kq
k q d
k q k k kq
(G3)
Đặt
2 2 22 2 4A k q k k , 2B kq . (G4)
Xét tích phân
2
0
1, ,
cos
L k q d
A B
, (G5)
đặt
i i
i i 1 1e , ie i , cos =
2 2
e eZ dZ d Zd Z
Z
. Khi biến thiên từ
0 2 thì Z biến thiên trên đường tròn đơn vị 0,1S . Do đó
2
0,1 0,1
2, ,
i 21 1i
2
S S
dZ dZL k q
BZ AZ BZ A B Z
Z
. (G6)
Hàm trong dấu tích phân, 2 12f Z BZ AZ B có hai điểm cực tại các nghiệm của mẫu
số của nó, theo định lý Vi-ét, tích các nghiệm là 1 nên một nghiệm ở ngoài và một nghiệm
ở trong đường tròn S :
2 2 2
1,2 2 1
A A B A AZ
B B B B
. (G7)
Theo định lý về thặng dư, ta có 0, , 2 iRes ,L k q f Z Z , với
0
0
1Res ,
2 2
f Z Z
BZ A
, trong đó 0Z là nghiệm trong đường tròn đơn vị. Hay
0 0
2 1 2, , 2 i
i 2 2
L k q
BZ A BZ A
. (G8)
Bây giờ ta xét điều kiện của bài toán, từ (G4) ta có 2 20; 2B A q k . Để có
nghiệm (G7) ta phải có điều kiện là
2 2
2 2
2 2
2 2
' 0
2 2
q k kq iA B
A B
A B q k kq ii
Giải hệ này ta có điều kiện
136
2
q
i qk
hoặc
0
2
q
qk
;
0
q
ii
hoặc
0
2
q
qk
Khi đó nghiệm trong đường tròn đơn vị là
2
1 2 1
A AZ
B B
nếu A B ;
2
2 2 1
A AZ
B B
nếu A B . Ta có 2 21BZ A A B ; 2 22BZ A A B , với
2 2 22 2 2 2 2 2 22 2 2A B q k kq q q k .
Thay vào (G3) ta có
1/22 2
2 2
2
, , 2
2
2 2
k q qJ k q q k
q
q qq k k
Trong (G2) ta gọi
1/22 2
2 2
1/22 2
2 2
1, , , ,
2
2
2
2
2
2 2
J k q J k q
k q qq k q
q
k q qq k
q
q qq k k
(G9)
Từ kết quả này ta tính được
1
0
Re , , ,
2 4
g gP dkJ k q
q . (G10)
Để tính tích phân này ta xét theo từng vùng như Hình 2.1 và dùng kết quả (G9) như sau:
Vùng 1A:
137
1
1/2 1/22 22 22 2
2 2 2 2
0 0
Re ,
2 2
2 4 4
,
2
q q
P
k q k qg g gdk dk
q q
g f q
q
(G11)
Vùng 1B
1
1/2 1/22 22 22
2 2 2 2
0 0
1/22 2
2 2
2
Re ,
2 2
2 4 4
2
4
2 2,
2
F
F
q
k
k
q
P
k q k qg g gdk dk
q q
k qg dk
q
g f q G G
q q
q
(G12)
Vùng 2A:
1
1/2 1/22 22 22
2 2 2 2
0 0
Re ,
2 2
2 4 4
2,
2
F
q
k
P
k q k qg g gdk dk
q q
g f q G
q
q
(G13)
Vùng 2B:
1
1/2 1/22 22 22
2 2 2 2
0 0
Re ,
2 2
2 4 4
2,
2
F
q
k
P
k q k qg g gdk dk
q q
g f q G
q
q
(G14)
Vùng 3A:
1/2 1/22 22 2
1
2 2 2 2
0 0
2 2
Re ,
2 4 4
2 2,
2
F Fk kk q k qg g gP dk dk
q q
g f q G G
q q
q
(G15)
Vùng 3B:
138
1/2 1/22 22 2
1
2 2 2 2
0 0
2 2
Re ,
2 4 4
2 2,
2
F Fk kk q k qg g gP dk dk
q q
g f q G G
q q
q
(G16)
Tổng hợp các kết quả trên ta thu được (2.34).